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　　5月6日，上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)發(fā)布關(guān)于2025年度關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)計(jì)劃“先進(jìn)材料”項(xiàng)目申報(bào)指南的通知。旨在深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，發(fā)展更多新質(zhì)生產(chǎn)力，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，進(jìn)一步建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心。
 

　　本次征集范圍共分為3大類10個(gè)重點(diǎn)方向22項(xiàng)具體項(xiàng)目。詳情如下：
 

　　專題一：前沿未來材料
 

　　方向1. 二維半導(dǎo)體材料
 

　　1. 新型二維材料增強(qiáng)異質(zhì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對DRAM尺寸微縮中面臨的泄露電流增加和電容工藝難度高的問題，研發(fā)基于二維材料的新型異質(zhì)集成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。研究二維材料晶圓級生長與低溫轉(zhuǎn)移、與硅的后道兼容異質(zhì)集成工藝，建立新型存儲(chǔ)單元架構(gòu)及存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法，研發(fā)高密度DRAM存儲(chǔ)器并完成性能驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：研制基于新型二維材料的高性能低功耗動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，較同單元面積(≤6F²)和工藝節(jié)點(diǎn)下的硅基DRAM泄露電流更低，存儲(chǔ)時(shí)長≥103秒，具有非破壞性讀取及CMOS邏輯兼容功能，擦寫速度≤5ns，工作電壓≤1.5V，實(shí)現(xiàn)原型存儲(chǔ)芯片容量≥1Mb。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　2. 面向1nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的二維材料晶圓級異質(zhì)集成
 

　　研究內(nèi)容：針對當(dāng)前二維材料異質(zhì)集成面臨的集成層數(shù)少、面積小、均勻性差與半導(dǎo)體工藝不兼容的瓶頸問題，開發(fā)不同二維材料的低缺陷和低應(yīng)力集成技術(shù)。建立普適的材料三維集成方法，實(shí)現(xiàn)金屬、介質(zhì)、二維功能材料高密度、高精度異質(zhì)集成；在低功耗邏輯器件上開展應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：開發(fā)二維材料晶圓級異質(zhì)集成工藝，實(shí)現(xiàn)8英寸二維材料異質(zhì)集成，堆疊層數(shù)≥20層；集成材料種類≥5種，二維材料拉曼特征峰位均勻性≥95%；8英寸晶圓內(nèi)，x-y面內(nèi)對準(zhǔn)精度優(yōu)于2μm，旋轉(zhuǎn)角度優(yōu)于0.1°；基于三維異質(zhì)集成工藝制備的器件密度≥100000晶體管/mm2，晶體管場效應(yīng)遷移率≥100cm2/Vs，室溫下亞閾值擺幅≤70mV/dec；晶體管柵漏電流<1.5×10-2A-1cm2。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　方向2. 超構(gòu)材料
 

　　1. 多維感知光學(xué)超構(gòu)材料及系統(tǒng)研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對具身智能、智慧農(nóng)業(yè)、智慧安防等領(lǐng)域?qū)ξ⑿突嗑S感知系統(tǒng)的需求，開發(fā)高功能密度集成光學(xué)超構(gòu)材料的智能設(shè)計(jì)和精細(xì)可控制造技術(shù)，完成材料及集成化系統(tǒng)樣機(jī)研制，并開展示范應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：研制光譜和偏振感知超表面樣片，光譜分辨率≤10nm，感知范圍400-1700nm，偏振通道數(shù)≥4；研制成像和深度感知超表面透鏡樣片，成像波段范圍400-1700nm，深度測量誤差≤10%；開發(fā)超表面集成化系統(tǒng)，研制出超表面、圖像傳感器、計(jì)算芯片于一體的集成化微系統(tǒng)樣機(jī)，實(shí)現(xiàn)成像、光譜、偏振、深度的多維視覺感知功能集成并應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　2. 航空高溫超構(gòu)聲襯材料研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對航空裝備對高溫環(huán)境下抑制低頻、寬帶、多模態(tài)噪聲的需求，開發(fā)適用于高溫工況的超構(gòu)聲襯，完成高溫超構(gòu)聲襯構(gòu)件制備，實(shí)現(xiàn)在高溫、高速氣流及多模態(tài)聲源耦合條件下的吸聲降噪并完成性能驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：研制適用于高溫工況的超構(gòu)聲襯，厚度≤6cm，在溫度不低于700K的阻抗管工況下，600-3000Hz頻率范圍內(nèi)平均吸聲系數(shù)不低于0.8；在速度不低于0.2Ma且溫度不低于700K的流管工況下，600-3000Hz頻率范圍內(nèi)平均吸聲系數(shù)不低于0.8；在發(fā)動(dòng)機(jī)/壓氣機(jī)風(fēng)扇試驗(yàn)臺上完成噪聲控制性能驗(yàn)證，600-3000Hz頻率范圍內(nèi)降噪量不低于5dB。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　方向3. 植入/介入生物醫(yī)用材料
 

　　1. 軟骨修復(fù)再生生物活性陶瓷材料研發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對傳統(tǒng)骨修復(fù)材料流動(dòng)性差、抗壓強(qiáng)度不足等問題，研發(fā)具有分層梯度結(jié)構(gòu)和生物活性的生物陶瓷修復(fù)材料。研究膠原-陶瓷骨軟骨修復(fù)體3D打印關(guān)鍵技術(shù)，開展生物相容性、力學(xué)適配性驗(yàn)證和生物安全性評估。
 

　　考核指標(biāo)：生物陶瓷顆粒粒徑為20-150μm，純度≥95%，材料固化時(shí)間4-15min，固化后抗壓強(qiáng)度≥10MPa，體內(nèi)完全降解時(shí)間>1年；研制膠原-多孔陶瓷、膠原-復(fù)合陶瓷等2種精確控制的3D打印分層結(jié)構(gòu)修復(fù)體，修復(fù)體鈣磷原子比1.50±0.03，體內(nèi)完全降解時(shí)間>1年。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　2. 高性能可控降解血管支架材料研發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對現(xiàn)有血管可降解支架材料力學(xué)性能欠佳、降解均勻性不足等問題，研究基于改性聚乳酸、高分子纖維基復(fù)合物、合金材料的復(fù)合技術(shù)。研究材料工藝參數(shù)智能優(yōu)化、降解-力學(xué)性能協(xié)同調(diào)控等技術(shù)，開發(fā)出具有高強(qiáng)度、降解速率可控、高生物相容性，適用于冠心病等領(lǐng)域介入治療的新型可降解支架生物醫(yī)用材料并開展大動(dòng)物實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：高聚物可降解支架材料徑向支撐力100-200 kPa、在模擬生理環(huán)境下支架結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性≥6個(gè)月、降解產(chǎn)物無毒性且細(xì)胞存活率≥90%；可降解合金材料屈服強(qiáng)度≥280MPa、抗拉強(qiáng)度≥320MPa、延伸率≥20%、室溫存放6個(gè)月力學(xué)性能衰減值≤5%、體外降解速率≤0.1mm/年、管材外徑最小達(dá)到2.0mm，壁厚不超過130μm；在大動(dòng)物模型中開展功能評價(jià)與安全性測試。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過300萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　3. 遞送載體及封堵水凝膠材料研發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對傳統(tǒng)材料在穿透血腦屏障、精準(zhǔn)釋控、止血?dú)夥庖惑w化等方面的問題，開發(fā)組織穿透精準(zhǔn)釋控藥物載體、血?dú)庖惑w化封堵水凝膠。研究血腦屏障穿透精準(zhǔn)釋控載體3D塑型、微流控、限域納米自組裝、多體系融合等可控制備技術(shù)，制備產(chǎn)品并開展安全性和臨床前評價(jià)。
 

　　考核指標(biāo)：(1)研制卒中精準(zhǔn)釋控水凝膠微針產(chǎn)品，血腦屏障穿透水凝膠材料彈性模量≥0.2Gpa，納米材料粒徑≤200nm，腦部病灶藥物緩釋6小時(shí)-4天可調(diào)，材料的單批次合成規(guī)模≥1.0公斤、包封率≥90%，批次間粒徑偏差≤10%、力學(xué)性能偏差≤5%；(2)研制噴霧型、貼片型、注射型3種止血止氣用水凝膠原型產(chǎn)品，材料遇血后膠凝時(shí)間≤10秒，氣體泄漏封堵密封率≥95%，界面粘結(jié)強(qiáng)度≥150kPa，溶血率<5%，抑菌率≥95%。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過2個(gè)項(xiàng)目，每個(gè)項(xiàng)目資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　方向4. 低維材料
 

　　1. 氙氪分離材料研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：面向半導(dǎo)體光刻、航空航天推進(jìn)劑、準(zhǔn)分子激光器及醫(yī)學(xué)成像等需求，開發(fā)氙、氪分離材料。開展低維分離材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制備，氙、氪分離性能研究并開展典型應(yīng)用場景驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：粉體材料比表面積≥2000m2/g，氙、氪吸附容量≥100mL/g；分離材料氙、氪混合物分離選擇性≥35、分離因子≥25，滲透通量10-8mol/(m2?s?Pa)量級，分離效率100-300 L/(m2?h)；氙、氪單一氣體純度達(dá)到5N級；在至少一個(gè)典型應(yīng)用場景完成應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　2. 高通量多指標(biāo)量子點(diǎn)編碼檢測微球材料研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對液相芯片量子點(diǎn)編碼檢測微球在功能化、精準(zhǔn)化、靈敏度等方面的問題，開發(fā)高通量、多指標(biāo)量子點(diǎn)編碼快速檢測微球。研發(fā)基于無鎘大斯托克斯的量子點(diǎn)發(fā)光材料，研究量子點(diǎn)微球的多色精準(zhǔn)編碼、表面功能化制備技術(shù)并實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：研制2-3種具有大斯托克斯位移的無鎘量子點(diǎn)及表面功能化的量子點(diǎn)多色編碼微球材料；同一粒徑的量子點(diǎn)多色編碼微球、功能化編碼微球可編碼數(shù)量均達(dá)到150種以上，磁響應(yīng)時(shí)間≤30s；多重檢測試劑(5重以上)靈敏度達(dá)到0.1pg/mL，獲得1項(xiàng)醫(yī)療器械注冊證書；制定液相芯片技術(shù)相關(guān)團(tuán)體/行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)；在3-4種重大常見疾病中開展多指標(biāo)檢測及驗(yàn)證。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　專題二：重點(diǎn)領(lǐng)域關(guān)鍵材料
 

　　方向1. 信息功能材料
 

　　1. 集成電路化學(xué)機(jī)械拋光用超細(xì)納米氧化鈰磨料研制
 

　　研究內(nèi)容：針對下一代先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)集成電路制造對化學(xué)機(jī)械拋光材料拋光速率高，拋光后缺陷低、分散性良好等要求，開發(fā)納米氧化鈰磨料及其化學(xué)機(jī)械拋光液。研究窄粒徑分布、低大顆粒含量、均一晶型的納米氧化鈰磨料制備關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)滿足先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)集成電路化學(xué)機(jī)械拋光液材料并開展應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：顆粒一次粒徑2-5 nm(透射電鏡下單顆粒粒徑)，二次粒徑平均粒徑<20nm(動(dòng)態(tài)光散射粒徑，D50<20nm，D99<30nm)；5wt%固含量分散液膠體參數(shù)(包括pH、顆粒粒徑)穩(wěn)定性> 6個(gè)月無分層、無濃度差(50℃烘箱)；雜質(zhì)金屬離子含量<1ppm；對二氧化硅拋光去除速率>3500A/min(拋光壓力≤4psi)；氧化鈰分散液在含氧化劑配方中無團(tuán)聚、不發(fā)生聚沉分層；化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)品滿足二氧化硅/多晶硅拋光速率選擇比>100。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　2. 半導(dǎo)體先進(jìn)封裝用臨時(shí)鍵合膠研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對高密度3D疊層封裝薄晶圓臨時(shí)鍵合工藝的需求，研發(fā)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝用臨時(shí)鍵合膠。開展臨時(shí)鍵合膠的樹脂、溶劑、抗氧劑和流平劑等關(guān)鍵添加劑的篩選；完成臨時(shí)鍵合膠配方的研發(fā)，建立配方調(diào)整機(jī)制，開展臨時(shí)鍵合及解膠的應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：楊氏模量0.1-0.3Gpa，5%熱失重溫度>380℃，玻璃化溫度132-142℃；晶圓涂膠厚度誤差≤±5%，加熱前后總厚度變化≤1.5μm，解膠后晶圓無腐蝕，并應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　3. 新型低介電常數(shù)薄膜封裝材料研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對新型柔性顯示技術(shù)對輕薄化、防觸摸屏電信號串?dāng)_的需求，開發(fā)柔性顯示低介電常數(shù)薄膜封裝材料。研究薄膜封裝材料介電性、透光性、阻隔性、柔韌及收縮性的關(guān)聯(lián)耦合機(jī)制，完成新型低介電常數(shù)的薄膜封裝材料制備工藝開發(fā)并開展應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：研制低介電常數(shù)的薄膜封裝材料，低介電封裝墨水：粘度14-21cp，0.5μm以上粒子含量≤25個(gè)/ml，金屬離子含量≤1ppm，水含量≤30ppm；10μm封裝薄膜：可見光透過率≥95%，介電常數(shù)≤2.50，完成應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　方向2. 能源材料
 

　　1. 熱電陶瓷材料塑化技術(shù)研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對陶瓷材料的本征脆性問題，開發(fā)新型塑性陶瓷材料，研究陶瓷材料從脆性至塑性的轉(zhuǎn)變規(guī)律，建立材料塑化調(diào)控的新原理和新方法，研制高性能柔性熱電能量轉(zhuǎn)換器件和系統(tǒng)。
 

　　考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)≥3種脆性陶瓷材料的塑化，拉伸應(yīng)變量不低于6%；柔性熱電轉(zhuǎn)換器件佩戴于人體時(shí)輸出電壓不低于1V，輸出功率不低于2mW；在20mm彎曲半徑下，彎曲1000次后輸出性能衰減不高于10%。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過200萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于1:1。
 

　　2. 先進(jìn)核能系統(tǒng)用高性能涂層材料開發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對先進(jìn)核能系統(tǒng)氚擴(kuò)散問題，研究阻氚涂層的長周期服役可靠性及失效機(jī)理，開發(fā)多功能涂層設(shè)計(jì)技術(shù)和制備工藝，研制高性能耐蝕阻氚涂層材料，制備典型模擬樣件并完成高溫、輻照等環(huán)境下的性能評價(jià)測試。
 

　　考核指標(biāo)：研發(fā)新型阻氚涂層種類≥2種；涂層應(yīng)用基底種類≥2種；涂層化學(xué)成分及微結(jié)構(gòu)與其輻照損傷及阻氚性能的關(guān)系模型預(yù)測精度≥90%；涂層厚度均勻，偏差不超±10%；涂層孔隙率不高于3%; 典型模擬樣件上阻氚涂層在500℃的阻滲透因子不低于2000；涂層與基體結(jié)合力≥45MPa；涂層在500-600℃熱循環(huán)100次后無剝離及裂紋；涂層耐輻照腫脹，500℃輻照1dpa后涂層輻照體積腫脹量≤3%，600℃輻照1dpa后涂層輻照體積腫脹量≤2%；輻照條件下涂層與基體界面穩(wěn)定，無明顯的輻照加速界面擴(kuò)散、輻照加速涂層開裂等劣化現(xiàn)象。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　3. 高品質(zhì)特種合金大鍛件精準(zhǔn)控形控性技術(shù)開發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對能源裝備核心部件對合金大鍛件長服役高性能的要求，研究揭示鐵鎳合金和無磁特種合金非連續(xù)熱變形過程中的多尺度微觀組織演變機(jī)理，建立熱變形過程高保真組織演變預(yù)測方法，開發(fā)大規(guī)格特種合金厚壁鍛件均質(zhì)化精準(zhǔn)控形控性技術(shù)，研制高品質(zhì)特種合金大鍛件。
 

　　考核指標(biāo)：鐵鎳高溫合金大鍛件坯料厚度≥450mm，600℃屈服強(qiáng)度≥145Mpa、抗拉強(qiáng)度≥450MPa，晶粒度≥2級；低溫超導(dǎo)磁體用合金4K屈服強(qiáng)度≥1250MPa，相對磁導(dǎo)率≤1.05，晶粒度≥2級；重型燃機(jī)耐熱鋼透平盤鍛件屈服強(qiáng)度750-900MPa，斷裂外觀轉(zhuǎn)變溫度≤50℃；重型燃機(jī)發(fā)電機(jī)組發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子鍛件屈服強(qiáng)度≥750MPa，斷裂外觀轉(zhuǎn)變溫度≤-7℃，晶粒度≥2級；構(gòu)建材料數(shù)據(jù)庫和工藝數(shù)據(jù)庫；完成至少2個(gè)特種合金大鍛件成形制造和性能指標(biāo)測試。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　4. 數(shù)據(jù)中心散熱模組用熱控涂層開發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對數(shù)據(jù)中心等對液冷集群散熱模組高效散熱的需求，研究輻射熱控材料設(shè)計(jì)、合成與調(diào)控技術(shù)，開發(fā)熱控涂層材料并在數(shù)據(jù)中心等液冷集群散熱模組系統(tǒng)中應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：研制2種液冷集群散熱模組用超寬波段光譜選擇性輻射熱控涂層；0.25-25μm波段光譜平均發(fā)射率>0.95，熱導(dǎo)率≥2W/(m·K) , 輻射增強(qiáng)因子≥1.2，液冷集群散熱模組系統(tǒng)解熱能力≥800W，熱流密度≥100W/cm2；太陽光譜0.25-4μm波段加權(quán)平均反射率>0.92，自潔系數(shù)η≥80%，水接觸角WCA≥120°，輻射增強(qiáng)因子≥1.2，模組系統(tǒng)解熱能力≥500W，熱流密度≥200W/cm2；在數(shù)據(jù)中心散熱模組等典型場景應(yīng)用。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　方向3. 綠色可持續(xù)材料
 

　　1. 多元介質(zhì)耦合長效滲透反應(yīng)修復(fù)材料制備及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對普通滲透反應(yīng)材料在目標(biāo)性、功能性、長效性等方面的問題，研制多元介質(zhì)耦合長效滲透反應(yīng)材料。研制具有多級孔徑結(jié)構(gòu)的反應(yīng)介質(zhì)載體，研發(fā)提升污染物生物降解效果的酶固定化方法，研究物理、化學(xué)、生物過程對污染物的協(xié)同去除機(jī)制，形成具有長期服役能力的原位滲透反應(yīng)屏障技術(shù)，制備長效滲透反應(yīng)材料并應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：開發(fā)酶固定化方法，酶單次固定化效率達(dá)50%以上，酶活性降低至50%的循環(huán)次數(shù)提升2倍；制備3種不同功能的長效滲透反應(yīng)材料，對多環(huán)芳烴、氯代烴、總鉻等典型污染物去除率達(dá)95%以上，應(yīng)用單位不少于2家。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過300萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　2. 車用聚丙烯閉合循環(huán)技術(shù)研發(fā)及保級應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對汽車工業(yè)對回收塑料的需求，開發(fā)車用聚丙烯超潔凈低成本再生技術(shù)。研究低毒、高選擇性、易回收的溶劑體系及低溫萃取工藝；設(shè)計(jì)高粘熱敏性流體的分離工藝與連續(xù)化分離裝置；開發(fā)超凈脫揮去味技術(shù)；建成百噸級中試示范線，開發(fā)萬噸級車用聚丙烯保級回收工藝技術(shù)包。
 

　　考核指標(biāo)：低毒、高選擇性、易回收的溶劑的萃取溫度≤180℃，溶劑回收率≥99%，殘留率≤0.5%，聚丙烯合格回收率≥90%；材料性能指標(biāo)滿足車用要求，TVOC≤0.2ppm，氣味PV3900≤3.5；建成百噸/年的中試示范裝置并穩(wěn)定運(yùn)行1000小時(shí)；產(chǎn)品應(yīng)用量≥20噸，整車再生聚丙烯占比≥25%。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過300萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于4:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　方向4. 極端條件服役材料
 

　　1. 衛(wèi)星桁架高模量碳纖維復(fù)合材料研發(fā)及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對衛(wèi)星主承力結(jié)構(gòu)對高模量碳纖維復(fù)合材料高性能化與低成本快速制造的需求，研究高模量碳纖維微結(jié)構(gòu)與性能調(diào)控技術(shù)、預(yù)浸紗低損傷制備技術(shù)，開發(fā)配套高模量高韌性耐高溫環(huán)氧樹脂，建立高模量碳纖維復(fù)合材料高效低成本干法纏繞成型技術(shù)、多級性能高效轉(zhuǎn)化技術(shù)，開展全構(gòu)件制備和應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：高模量碳纖維拉伸強(qiáng)度≥4.02GPa、拉伸強(qiáng)度離散性≤5%、拉伸模量≥540GPa、拉伸模量離散性≤3%、起毛量≤20mg/50m；高模量耐高溫高韌性環(huán)氧樹脂拉伸強(qiáng)度≥100MPa、拉伸模量≥4.0GPa、斷裂伸長率≥3%；高模量碳纖維預(yù)浸紗寬度3.175mm±0.125mm、拉伸斷裂強(qiáng)度保留率≥95%；高模量碳纖維單向復(fù)合材料拉伸強(qiáng)度≥1600MPa、拉伸模量≥280GPa、彎曲強(qiáng)度≥1100MPa、層間剪切強(qiáng)度≥60MPa；高模量碳纖維預(yù)浸紗纏繞成型起毛率≤1%；衛(wèi)星全尺寸桁架成型工藝與傳統(tǒng)工藝相比效率提高1倍且制造成本降低20%以上；相關(guān)構(gòu)件實(shí)現(xiàn)在軌應(yīng)用。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　2. 高豐度氫/硼同位素材料低成本制備及應(yīng)用
 

　　研究內(nèi)容：針對醫(yī)藥開發(fā)、醫(yī)學(xué)檢測、新能源、新型顯示等未來產(chǎn)業(yè)對高豐度功能性穩(wěn)定同位素材料的需求，研究同位素原料及功能材料低成本制備技術(shù)并實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。
 

　　考核指標(biāo)：制備高豐度氘水原料，氘同位素豐度>99.9%，電導(dǎo)率<3μs/cm；開發(fā)氘代發(fā)光功能材料，純度≥99%，氘代豐度≥90%，與未氘代的材料相比，氘代材料穩(wěn)定性提升5%、器件壽命提升3倍以上；玻璃化溫度≥120℃；金屬單雜(鐵、鉀、鈣、鈉、鎂)≤1ppm；單鹵素雜質(zhì)(氟、氯、溴、碘)≤2ppm。制備高豐度三氟化硼-10氣體及硼-10酸，三氟化硼-10氣體豐度≥96%，硼-10酸硼同位素豐度≥96%、硼-10酸純度≥99.9%、粒度(≤0.6mm)≥98%。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，資助額度不超過500萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　申報(bào)主體要求：本市企業(yè)。
 

　　專題三：材料開發(fā)新范式
 

　　方向1. 先進(jìn)材料智能實(shí)驗(yàn)
 

　　1.多層級智能體驅(qū)動(dòng)材料制備技術(shù)研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：為解決傳統(tǒng)材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)效率低、人工操作錯(cuò)誤率高等問題，提高研究準(zhǔn)確性和可靠性，開展多層級智能體驅(qū)動(dòng)的材料制備技術(shù)研發(fā)，實(shí)現(xiàn)材料合成、表征和測試的全流程自動(dòng)化，并實(shí)現(xiàn)應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　考核指標(biāo)：完成智能體驅(qū)動(dòng)機(jī)器人實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)建設(shè)，自動(dòng)化設(shè)備不少于15臺/套；實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)具備思維推理能力，思維鏈長度≥10步；完成至少1個(gè)理論計(jì)算智能體開發(fā)；完成至少2種新材料的開發(fā)及性能驗(yàn)證。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，“賽馬制”形式，擬支持不超過3個(gè)項(xiàng)目，每個(gè)項(xiàng)目資助額度不超過300萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　方向2. 先進(jìn)材料智能創(chuàng)制
 

　　1.OLED材料基因組建設(shè)及AI智能化設(shè)計(jì)工具研發(fā)
 

　　研究內(nèi)容：針對新型顯示產(chǎn)業(yè)對具有專利性和實(shí)用性的OLED材料的需求，開展人工智能驅(qū)動(dòng)的材料開發(fā)與應(yīng)用研究。建立OLED材料基因庫，開發(fā)材料分子生成模型和材料結(jié)構(gòu)與性質(zhì)預(yù)測模型，實(shí)現(xiàn)材料的高通量生成和性質(zhì)預(yù)測，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用驗(yàn)證。
 

　　項(xiàng)目交付物：OLED材料基因庫1套；OLED材料生成模型工具1套，支持模型算法的選擇；OLED材料結(jié)構(gòu)與性質(zhì)預(yù)測模型工具1套；開發(fā)文檔1份；OLED材料基因庫和模型工具使用說明書1份。
 

　　考核指標(biāo)：建立OLED材料基因數(shù)據(jù)庫，包含發(fā)光層、電子層、空穴層材料體系，數(shù)據(jù)量≥100000，可實(shí)現(xiàn)材料的性質(zhì)展示、檢索查詢，并支持模型構(gòu)建與迭代；開發(fā)OLED材料分子生成模型，可提供不少于2種分子生成算法，有效性≥99.00%，新穎性≥99.00%，唯一性≥99.00%，連通率≥85.00%，生成分子平均環(huán)數(shù)≥14個(gè)，滿足材料復(fù)雜度要求；開發(fā)OLED材料結(jié)構(gòu)與性質(zhì)預(yù)測模型，實(shí)現(xiàn)對材料研發(fā)關(guān)鍵性質(zhì)的快速預(yù)測。其中，HOMO和LUMO預(yù)測模型R2≥0.95，MAE<0.08eV；單線態(tài)/多線態(tài)能級(激發(fā)能)預(yù)測模型R2≥0.95，MAE<0.08eV；發(fā)光波長預(yù)測模型R2≥0.95，MAE<0.08eV；薄膜環(huán)境下雙分子轉(zhuǎn)移積分的預(yù)測模型R2≥0.80；實(shí)現(xiàn)材料的高通量生成和性質(zhì)預(yù)測，基于單卡32GB 算力，一次性產(chǎn)生超過1000個(gè)通量級別的分子結(jié)構(gòu)，每小時(shí)自動(dòng)生成并驗(yàn)證的分子數(shù)量≥1000個(gè)；配合實(shí)驗(yàn)側(cè)進(jìn)行模型驗(yàn)證和模型調(diào)優(yōu)，次數(shù)≥3次。
 

　　執(zhí)行期限：2025年7月1日至2028年6月30日
 

　　經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，“揭榜掛帥”形式，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每個(gè)項(xiàng)目資助額度不超過300萬元。自籌經(jīng)費(fèi)與申請資助經(jīng)費(fèi)的比例不低于2:1。
 

　　素材來源：上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)