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線列探測(cè)器的主要參數(shù):光電性能
指標(biāo)名稱 | 參數(shù) | |
響應(yīng)光譜范圍(μm)*1 | 0.95±0.05~1.7±0.05 | |
像元填充率(%) | 100 | |
量子效率(%) | ≥65 | |
峰值探測(cè)率 (?????√????/????) | ≥1×1012 | |
峰值靈敏度(A/W) | ≥0.8 | |
有效像元率(%)*2 | 100 | |
響應(yīng)不一致性(%) | <4 | |
讀出方式 | IWR、ITR,可選 | |
讀出速率(MHz) | ≥10 | |
最高幀頻(fps) | >20k | |
增益檔位 | 8 | |
飽和電壓(V) | 1.6 | |
轉(zhuǎn)換增益(nV/e-) | 增益檔位1:1600 增益檔位2:800 增益檔位3:4000 增益檔位4:2665 | 增益檔位5:17 增益檔位6:84 增益檔位7:32 增益檔位8:160 |
*1焦平面溫度=25℃*2像元響應(yīng)信號(hào)與平均值偏差小于一定范圍內(nèi)的像元百分比。
線列探測(cè)器的機(jī)械性能:
指標(biāo)名稱 | 典型值 |
長×寬×高(mm) | 28×15×6.2 |
重量(g) | ~9 |
焦平面規(guī)模 | 512×1 |
像元中心距(μm) | 25 |
像元尺寸(μm) | 25×250 |
感光面積(mm) | 12.8×0.25 |
使用環(huán)境和功耗參數(shù)
指標(biāo)名稱 | 典型值 |
工作溫度(℃) | -10~+60 |
存儲(chǔ)溫度(℃) | -20~+70 |
典型功率(W)*1 | <0.1 |
*1未開啟TEC,環(huán)境溫度=25℃,時(shí)鐘頻率=1MHz,VDDD=VDDA=3.3V,VBOP=2.4V,VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
機(jī)械參數(shù):該款探測(cè)器采用陶瓷封裝形式,充常壓高純氮?dú)?,管殼材質(zhì)為氧化鋁陶瓷,蓋板及引腳采用FeNiCoSi系合金,表面電鍍Ni/Au層,窗口焊接方式為In系釬焊,封蓋形式為電阻焊接。探測(cè)器外形尺寸為28mm(L)×15mm(W)×6.2mm(H)。外殼上有30根Φ0.45mm的針腳從背部引出,針腳的間距為1.778mm,用于焦平面電源與指令的輸入、焦平面探測(cè)信號(hào)和溫度傳感器的電學(xué)引出以及熱電致冷器的電源輸入。機(jī)械接口外觀及尺寸如下圖所示。
光學(xué)參數(shù)光學(xué)結(jié)構(gòu)該產(chǎn)品采用512×1元InGaAs焦平面,其左右兩端各有2個(gè)冗余元,即整體像元數(shù)為516×1,實(shí)際使用時(shí)推薦使用第3到514列。像元形狀為長方形,感光尺寸為25μm×250μm,結(jié)構(gòu)呈“一”字型排列,像元中心距25μm,結(jié)構(gòu)如下圖所示:
探測(cè)器感光面與封裝結(jié)構(gòu)上表面的設(shè)計(jì)距離值為1.86±0.1mm,感光面與窗口下表面設(shè)計(jì)距離值為1.16±0.1mm,感光面與安裝面/管殼底部設(shè)計(jì)距離值為4.34±0.1mm。窗口材料為藍(lán)寶石,厚度為0.5±0.05mm,窗口折射率1.76,表面鍍有AR膜,響應(yīng)波段內(nèi)透過率>95%,窗口透光區(qū)域?yàn)?6mm×3mm。感光面中心位于探測(cè)器中心,相對(duì)位置偏移≤0.05mm,相對(duì)旋轉(zhuǎn)位移≤0.02mm。
響應(yīng)光譜(典型值)
更多詳細(xì)資料請(qǐng)看產(chǎn)品手冊(cè)
深圳市依邁光電有限公司
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