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化工儀器網>產品展廳>實驗室常用設備>制樣/消解設備>等離子體表面處理儀>QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

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QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
  • 品牌其他品牌
  • 型號QBT-A
  • 所在地廈門市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2025/5/8 13:53:27
  • 訪問次數(shù) 1123

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廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開發(fā)產業(yè)化經驗,2021年入選高新技術企業(yè),2022年入選廈門專精特新技術企業(yè),是一家以納米級薄膜沉積工藝技術為核心的多領域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶提供全面的技術解決方案以及先進的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進制造國產化的痛點,開發(fā)自主設備。

 

 

ALD,PVD,CVD,原子層沉積設備 原子層沉積系統(tǒng)

產地類別 國產 價格區(qū)間 100萬-150萬
應用領域 綜合
    一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù):

    價格區(qū)間:100萬-200萬

    產地類別:國產原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

    襯底尺寸:Ф200mm

    工藝溫度:RT-500±1ºC

    前驅體數(shù):最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體

    重量:300KG

    尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

    均勻性:均一性<1%

    二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應用原理分析:

    原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術,具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

    等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價格、型號、原理等信息,產地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-A,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

    四、主要技術參數(shù):


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     五、測試結果展示:

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