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日立分析儀器(上海)有限公司

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FT1030 深能級瞬態(tài)譜儀DLTS

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上海麥科威半導體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫(yī)科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業(yè)大學, 南京醫(yī)科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業(yè)技術(shù)學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫(yī)學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術(shù)大學, 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

  • 詳細介紹

  • 高能分辨率深能級瞬態(tài)譜(DLTS)


    PhysTech在1990年推出了一臺數(shù)字DLTS,隨著電腦技術(shù)的發(fā)展,使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能。在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上,用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程,如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS(等溫瞬態(tài)光譜)信號重疊法、溫度掃描信號重疊法(重折疊)。與其他系統(tǒng)相比,HERA-DLTS具有能量分辨率。

    半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(tài)(俘獲界面)是研究半導體性質(zhì)的重要手段。此設(shè)備根據(jù)半導體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。

    特點:

    操作模式:


    規(guī)格:



    分辨率:

    1*108 atoms/cm3

    脈沖發(fā)生器

    電壓范圍:±20.4V(±102opt.)
    電壓分辨率:0.625mV
    電流:>±15mA
    脈沖寬度:1μs-1000s
    快速脈沖選配


    電容表
    HF信號:100Mv@1MHz(20mV optional)
    范圍[pF]:3,30,300,3000(自動或手動)
    電容補償:0.1-3000 pF(自動或手動)
    靈敏度:0.01 fF


    電壓測量
    范圍:±10V
    靈敏度:<1μV
    輸入電阻:106Ohm
    可提供偏壓補償:

    電流測試

    范圍:

    5,從±1μA 到±10mA

    靈敏度:

    <1pA
    可提供漏電保護

    瞬態(tài)記錄

    樣品速率:

    2μs到2000s

    樣品數(shù)量:

    16-16384(opt.64k)

    可調(diào)節(jié)抗失真濾膜



    標準冷卻倉
    溫度范圍:15K-450K或77K~800K
    溫度掃描方式:使用28個不同的相關(guān)功能(軟件)通過一次溫度掃描,給出28個溫度掃描信號。

    典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)
    靈敏度:10-7<NT/(ND-NA)<10-5
    能量精度:HT+/-3%
    能量分辨率:10meV
    發(fā)射率:10-3/s<en<104/s


    Options






    • Constant Capacitance

    • Optical Excitation

    • Fast Pulse Interface

    • ±100 V Option

    • Multi Sample Interface

    • C-DLTS

    • CC-DLTS

    • I-DLTS

    • DD-DLTS

    • Zerbst-DLTS

    • O-DLTS

    • FET-Analysis

    • MOS-Analysis

    • ITS(等溫瞬態(tài)光譜儀)

    • 缺陷分析

    • 俘獲截面測量

    • I/V, I/V(T)理查森標繪圖

    • C/V, C/V(T)

    • TSC/TSCAP

    • PITS(光子誘導瞬態(tài)譜)

    • DLOS(特殊系統(tǒng))

    • 自動接觸檢查

    • 常規(guī)測試和加強軟件

    • 自動電容補償

    • 三終端FET電流瞬態(tài)測量

    • 大電容和濃度范圍

    • 靈活性高、模塊化硬件

    • 支持各種冷卻倉和溫度控制器

    • 傅里葉轉(zhuǎn)換(F-DLTS),比例窗口和用戶自定義校正功能

    • DLTFS(深層瞬態(tài)傅里葉光譜儀)評價







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