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　　真空鍍碳儀是目前較為先進的對樣品進行預處理的儀器。主要適用于掃描電子顯微（SEM）和X射線微觀分析等表征工作前的鍍碳處理。*的蒸發(fā)源反饋控制技術(shù)保證了20nm厚的桿狀蒸發(fā)源也能夠正常工作。同時，該產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理緊湊，易于操作，抽放氣周期較快。

 

　　本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜處理。

　　主要功能：

　　該鍍碳儀主要用來在非導電材料表面蒸發(fā)或者濺射沉積納米導電薄膜，用來提高樣品的表面導電性能，同時由于厚度僅為幾個納米，可以很好保持樣品原始的表面形貌。

 

　　真空鍍碳儀的技術(shù)特點：

　　1、電流、電壓檢測器和先進的反饋控制技術(shù)使得鍍碳過程穩(wěn)定、高效。

　　2、脈沖、連續(xù)模式隨意切換。

　　3、提供“手動”和“自動”兩種模式。

 

　　主要特性：

　　1、電壓控制的碳棒具有多次蒸發(fā)能力；

　　2、反饋控制可以得到準確一致的鍍膜厚度；

　　3、可選擇操作方法優(yōu)化鍍膜過程；

　　4、繁忙條件下可進行自動蒸發(fā)控制；

　　5、低成本高分辨膜厚監(jiān)測儀保證可重復的鍍膜效果；

　　6、80L/s的分子渦輪泵可快速地使直徑150mm的樣品室達到鍍膜要求的真空；

　　7、可配備無油渦旋式真空泵選件。