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FPGSEM-CP-8000-進(jìn)口離子研磨儀,離子磨
  • FPGSEM-CP-8000-進(jìn)口離子研磨儀,離子磨
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貨物所在地:上海上海市

地: 輔光儀器代理進(jìn)口品牌

更新時(shí)間:2025-02-08 20:00:16

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離子研磨儀-電鏡制樣是為SEM或TEM電鏡樣品制備設(shè)計(jì)的離子磨裝置,使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面,避免了物理變形和結(jié)構(gòu)損傷,而不需要復(fù)雜的化學(xué)過程。

離子研磨儀-電鏡制樣是為SEM或TEM電鏡樣品制備設(shè)計(jì)的離子磨裝置,使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面,避免了物理變形和結(jié)構(gòu)損傷,而不需要復(fù)雜的化學(xué)過程。
此外,該離子研磨儀通過處理從幾十微米到幾毫米的大面積,簡化了樣品的橫截面分析。

離子研磨儀-電鏡制樣特點(diǎn)

每小時(shí)700μm的高蝕刻速率(基于Si,8kV)
能夠保存/加載經(jīng)常使用的配方
具有自動(dòng)執(zhí)行功能的分步配方
使用智能樣品架輕松裝載樣品
通過室內(nèi)攝像機(jī)實(shí)時(shí)觀察離子束狀態(tài)和蝕刻狀態(tài)
操作方便-直觀的GUI和簡單的觸摸屏
通過離子束自動(dòng)開啟/關(guān)閉功能zui大限度地減少熱損傷
使用內(nèi)置數(shù)字顯微鏡與離子束快速方便地對準(zhǔn)樣品
帶噪音、振動(dòng)、無油隔膜泵
為大面積平面蝕刻提供平面銑削功能

進(jìn)口離子研磨儀,離子磨

離子研磨儀研磨過程

離子研磨儀-電鏡制樣規(guī)格參數(shù)

離子加速電壓:2-8KV

研磨速度:700?/h (at 8kV on Si wafer)

樣品臺擺角:±35°

zui大容納樣品尺寸:16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm

樣品運(yùn)動(dòng)范圍:X axis : ±1.5mm,Y axis : ±2mm

平板掩模臺傾角:40° to 80°

平面研磨的樣品尺寸:?30 × 11.4(H)mm

控制:7英寸

數(shù)字顯微鏡放大倍率:5X,10x,20x,40x

氣體要求:氬氣(99.999%)

氣壓:0.1MPa

氣流控制:質(zhì)量流控制

尺寸:607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm

重量:36kg

進(jìn)口離子研磨儀,離子磨

進(jìn)口離子研磨儀,離子磨

離子研磨儀研磨結(jié)果

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