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GaSb晶體基片
  • GaSb晶體基片
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貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2025-01-16 21:00:07

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銻化鎵(GaSb)晶體基片


產(chǎn)品名稱:銻化鎵(GaSb)晶體基片
技術(shù)參數(shù):

單晶:

GaSb

摻雜:

none;None, high R;Zn;Te;Te, high R

導(dǎo)電類型:

P   P-    P+    N

載流子濃度
cm-3  :

1-2x1017     1-5x1016     1-5x1018
2-6x1017     1-5x1016

位錯(cuò)密度
cm-2  :

<103

生長方法及
zui大尺寸 :

LEC ? 3"

產(chǎn)品規(guī)格:

標(biāo)準(zhǔn)尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 單拋,

表面粗糙度Ra:<15A              

可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝


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