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1、半導(dǎo)體材料電阻率的及標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法。
2、測(cè)量厚度大于4倍探針間距的硅晶體，也可測(cè)量薄硅片電阻率及方阻。
3、電阻率測(cè)量范圍復(fù)蓋常用的區(qū)段：0.01—199.9Ω·cm 。
方塊電阻測(cè)量范圍復(fù)蓋常用的區(qū)段：0.1—1999Ω/□。
4、配置高精度恒流源，測(cè)量電流穩(wěn)定，分兩檔：1mA、10mA，每檔在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)（1mA：0.1—1mA；10mA：1mA—10mA）。
5、測(cè)量精度高：電器測(cè)量精度優(yōu)于0.3%；
整機(jī)測(cè)量誤差：測(cè)量1-100Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±3%。
測(cè)量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±5%。
6、重量輕，約2.5kg；體積?。?40×210×100（mm）。
7、可配用多種探針間距的四探針頭：1.00mm、1.59mm。
