單晶材料對于研究新材料物理性能起著至關重要的作用。目前人們已掌握了多種晶體生長技術，其中，浮區(qū)法晶體生長技術近幾年發(fā)展為迅速和顯著，因為該技術不僅可以用于探索合成新材料，而且還可以實現(xiàn)高價態(tài)過渡金屬化合物的單晶生長，這些為于探索非常規(guī)電子關聯(lián)及磁性等相關機理研究。

      第三屆浮區(qū)技術研討會旨在加強晶體生長域的家和學者之間的密切聯(lián)系，分享經(jīng)驗并交流探討當前浮區(qū)技術的發(fā)展方向。屆及第二屆浮區(qū)技術研討會(2013年, 2016年)在德國德累斯頓IFW舉辦，本年度的第三屆浮區(qū)技術研討會將于2019年9月16-18日在歷史名城牛津舉行, 由牛津大學奧瑞爾學院和德國SciDre公司聯(lián)合舉辦。

      德國SciDre公司成立于2009年，是德國德累斯頓萊布尼茨固體與材料研究所（IFW Dresden）的個分支機構。其*的HKZ系列高溫高壓浮區(qū)法單晶爐初由德累斯頓IFW開發(fā)，德國SciDre公司隨后化了HKZ的設計方案并升改造了控制系統(tǒng)。

代HKZ單晶爐（2009~2014年）

新代HKZ高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐（2015年至今）

      目前，德國SciDre推出的HKZ系列高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐高可實現(xiàn)高達3000℃高溫，高壓力可達300bar，多種規(guī)格可根據(jù)用戶需求提供選擇。該單晶生長系統(tǒng)備受國內(nèi)廣大科研工作者的青睞，目前已擁有眾多用戶，包括中國科學院物理研究所、中國科學院固體物理研究所、北京師范大學、復旦大學、上海大學、南昌大學以及中山大學等。