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系統(tǒng)主要特點：

高效便捷的薄膜材料表征手段（nm到um薄膜測試）。

不同溫度下的測量（-170 to 200℃<-可選300℃>）

樣品易于制備和處理

高的測量適應(yīng)性 (樣品厚度，電阻率，沉積方式)

一個樣品，一次同步測量即可獲得所有相關(guān)參數(shù)。

適用于金屬、陶瓷及有機(jī)材料。

基本測量單元 ：

測量室，真空泵，帶加熱器的支架，電子頰側(cè)裝置，集成鎖相放大器，3w方法分析軟件，計算機(jī)和應(yīng)用軟件。可測以下物理參數(shù)：

l -熱傳導(dǎo)系數(shù) (穩(wěn)態(tài)法/平面內(nèi)方向)

r - 電阻率

s - 電導(dǎo)率

S - 賽貝克系數(shù)

e – 發(fā)射率

cp - 比熱容

磁測量單元

可根據(jù)需求選擇集成式電磁鐵，可測物理參數(shù)如下：

AH - 霍爾常數(shù)

μ –遷移率

n -載流子濃度

薄膜材料性能有別于塊體材料之處

-        因小尺寸和高縱橫比所導(dǎo)致的表面效應(yīng)如：邊界散射和量子限域效應(yīng)