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在光學(xué)成像中，相比于近紅外一區(qū)熒光成像(650-900nm)和光聲成像模式，近紅外二區(qū)(NIR-II，1000-1700nm)熒光成像，特別是在NIR-IIa(1300-1400nm)區(qū)間內(nèi)，其具有分...
使用帶四個(gè)重復(fù)噻吩鏈單元的四元噻吩(4T)和長(zhǎng)烷基側(cè)鏈修飾的雙噻吩(2TC)來降低共軛聚合物主鏈中的電子-受體密度。由此的1064nm吸收型聚合物TTQ-2TC-4T在甲苯溶液中的NIR-II的發(fā)光強(qiáng)...
羥基自由基(OH)是生物系統(tǒng)中具有氧化能力分子之一，與DNA、蛋白質(zhì)和脂質(zhì)等生物分子作用會(huì)造成氧化應(yīng)激。設(shè)計(jì)一種非平面、共輒性差的花菁類染料Hydro-1080，其在可見光區(qū)域具有較弱的光學(xué)吸收且沒有...
利用近紅外二窗(NIR-Ⅱ)熒光基團(tuán)CH1055和Ⅱ型膠原蛋白靶向肽構(gòu)建一種近紅外二窗熒光探針并表征其化學(xué)特性.方法:利用近紅外二窗熒光基團(tuán)CH1055和靶向Ⅱ型膠原蛋白的多肽WYRGRL采用化學(xué)方法...
J聚集體具有的性能與功能，菁染料J-聚集體可應(yīng)用于成像材料、信息存儲(chǔ)材料、光電材料、太陽能電池和光催化過程等領(lǐng)域。不同菁染料所形成的J-聚集體有不同的組成和結(jié)構(gòu)。將J-聚集體看成一維的線性鏈狀結(jié)構(gòu),這...
熒光成像具有靈敏度、分辨率和反饋等優(yōu)勢(shì)。近紅外（NIR-II）內(nèi)的光子對(duì)生物組織具有的穿透深度和信噪比；尤其位于1500-1700nm范圍內(nèi)的光子，生物組織在此范圍內(nèi)具有更低的散射、吸收和自發(fā)熒光。一...
熒光成像具有靈敏度高、特異性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì).然而傳統(tǒng)的近紅外一區(qū)(NIR-I,700-900nm)熒光成像存在組織穿透性差等問題.近紅外二區(qū)(NIR-I1,1000-1700nm)熒光成像可以減弱生物組織對(duì)...
溶液中的J-聚集體：隨著染料溶液濃度的提高，其吸收波峰發(fā)生藍(lán)移。這時(shí)產(chǎn)生了雙分子聚集體(D峰)或小的聚集體〈H峰)。進(jìn)一步提高濃度后又會(huì)形成尺寸較大的聚集體、并發(fā)生吸收峰的紅移（呈現(xiàn)吸收強(qiáng)度高而窄的吸...
光刻膠是電子產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料之一，又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光的混合液體。其組成成分主要有光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠能夠通過光化學(xué)反應(yīng)，在曝光、顯影等光刻...
光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光的混合液體。在光...
光刻膠按照應(yīng)用領(lǐng)域劃分，主要可分為PCB、面板、半導(dǎo)體三類，每一類光刻膠又有各自細(xì)分品類。其中半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)門檻，按照光源波長(zhǎng)的從大到小，可分為紫外寬譜(300-450nm)、g線(436nm)、i...
光刻膠是光刻工藝的材料，主要由樹脂、感光劑、溶劑、添加劑等組成，其中樹脂和感光劑是的部分。光刻膠主要成分：樹脂聚合物、感光劑、溶劑、添加劑。中文名稱：2-羰基-四氫呋喃-3-羥基-甲基丙烯酸酯英文名2...
光刻膠是一種有機(jī)化合物，受特定波長(zhǎng)光線曝光作用后其化學(xué)結(jié)構(gòu)改變，在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化，因此又稱光致抗蝕劑。正膠在曝光后發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，可以被顯影液溶解，留下的薄膜圖形與掩膜版相同；而負(fù)膠經(jīng)過曝...
光刻膠,又稱光致抗蝕劑,具有光化學(xué)性,在光的照射下溶解度發(fā)生變化,一般以液態(tài)涂覆在半導(dǎo)體、導(dǎo)體等基片表面上,曝光烘烤后成固態(tài),它可以實(shí)現(xiàn)從掩膜版到基片上的圖形轉(zhuǎn)移,在后續(xù)的處理工序中保護(hù)基片不受侵蝕,...
光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻...
光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,是通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若...
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料?？捎糜谏罟杩涛g，適合于深寬比工藝，透明度，垂直度好。中文名稱：2-甲基-2-金剛烷醇丙烯...
hrEGF修飾的載順鉑分子納米粒的制備，以聚乙二醇-聚乳酸羥基乙酸-聚賴氨酸(mPEG-PLGA-PLL)為載體,通過聲乳化/溶劑揮發(fā)法制得載順鉑納米粒,然后利用端氨基與重組人表皮因子hrEGF連接,...
順鉑(DDP)并經(jīng)二氧化錳(MnO2)修飾的納米氧化石墨烯(NGO)遞CDDP/NGO@MH,并研究其對(duì)于逆轉(zhuǎn)谷胱甘肽(GSH)介導(dǎo)的DDPtumour耐的作用。采用透射電子顯微鏡,原子力顯微鏡及粒度...
環(huán)氧合參與tumour的發(fā)生,及轉(zhuǎn)移，抑制環(huán)氧合可提其他一些抗tumour的抗tumour活性。將環(huán)氧合與順鉑進(jìn)行化學(xué)結(jié)合,獲得低的抗tumour。環(huán)氧合鉑(IV)前體，通過在順鉑氧化物的軸向位置引入...
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