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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
新材料電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ā_定電學(xué)測(cè)量裝置的適用性和準(zhǔn)確度
新材料電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ā_定電學(xué)測(cè)量裝置的適用性和準(zhǔn)確度
5.3確定電學(xué)測(cè)量裝置的適用性和準(zhǔn)確度
5.3.1將恒流源短路或關(guān)閉，斷開(kāi)探針裝置與電學(xué)測(cè)量裝置的連接。
5.3.2按表2選擇模擬電路中電阻r的阻值.將電流引線（圖2中1和4）接到模擬電路電流端，將電壓引線（圖2中2和3）接到模擬電路的電壓端。
5.3.3 如果采用直接測(cè)量電阻（電壓-電流比值）儀器，按5.3.5條進(jìn)行，否則如下進(jìn)行：讓電流在任一方向（稱之為正向），調(diào)節(jié)電流大小到近似于表4推薦的圓片測(cè)量電流值，測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電勢(shì)差Vaf，或直接測(cè)量流過(guò)模擬電路的電流Isf，再測(cè)量模擬電路的電勢(shì)差Vaf。將電流換向，測(cè)量Vsf或Isf，和VKI記入表3a。
5.3.4 重復(fù) 5.3.3條操作，直到每一極性進(jìn)行了5次測(cè)量。然后按5.3.6條進(jìn)行。
5.3.5 用直接測(cè)量電阻的儀器。開(kāi)始在任一極性上（稱之為正向）測(cè)量模擬電路的正向電阻rf。改變連接極性，測(cè)量反向電阻rr。繼續(xù)改變極性進(jìn)行測(cè)量，直到每-極性進(jìn)行了5次測(cè)量。記入表3b。
5.3.6 按6.2條計(jì)算平均電阻r和標(biāo)準(zhǔn)偏差a。
5.3.7 電學(xué)測(cè)量裝置應(yīng)滿足下述條件：
5.3.7.1 r 值應(yīng)在已知r值的0. 3%以內(nèi)。
5.3.7.2 樣品標(biāo)準(zhǔn)偏差σ 應(yīng)小于r下的0.3%。
5.3.7.3 設(shè)備應(yīng)能測(cè)量出0.05%電阻的變化。