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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀的研制
薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀的研制
電氣用塑料薄膜的生產(chǎn)過程中，會(huì)出現(xiàn)薄膜穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚、
劃傷等影響電氣的電弱點(diǎn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 13541-92 電氣
用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試，在給
定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)（電弱點(diǎn)）數(shù)成為衡量薄膜質(zhì)量的重
要指標(biāo)。設(shè)計(jì)的薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀，無須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄
膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試。由于薄膜在生產(chǎn)過程中極易引起
縱向劃傷，該儀器*引用“電弱線”概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測(cè)
到的試樣漏電流均超過 1 mA 時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過程中存
在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線”，測(cè)試儀統(tǒng)計(jì)的電弱點(diǎn)總數(shù)為電弱
點(diǎn)數(shù)與電弱線數(shù)之和，這樣的測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水
平，且有助于分析生產(chǎn)過程中存在的問題，從而有針對(duì)地提出解決問
題的方案。
工作原理：
被測(cè)試的薄膜卷置于放卷臂上，通過絕緣導(dǎo)向輥將被測(cè)試的薄膜牽
引至收卷臂上，伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)收卷臂使被測(cè)試的薄膜移動(dòng)，構(gòu)成走膜
裝置。通過固定在速度檢測(cè)輥的增量光電編碼器檢測(cè)薄膜移動(dòng)長(zhǎng)度，
根據(jù)被測(cè)試薄膜的寬度設(shè)定測(cè)試寬度，從而算出被測(cè)試的薄膜測(cè)試面
積。
測(cè)試的直流電壓正極接在導(dǎo)電橡膠安裝軸上，通過導(dǎo)電橡膠與移動(dòng)
的薄膜一面接觸，形成上電極。移動(dòng)的薄膜另一面與構(gòu)成下電極的銅
輥接觸，銅輥通過漏電流采樣電阻與直流電壓負(fù)極連接，導(dǎo)電橡膠與
銅輥構(gòu)成加壓裝置。
由走膜裝置、絕緣導(dǎo)向輥、速度檢測(cè)輥等構(gòu)成被測(cè)試薄膜的面積檢
測(cè)系統(tǒng)；由加壓裝置、漏電流采樣電阻等構(gòu)成被測(cè)試薄膜的電弱點(diǎn)檢
測(cè)系統(tǒng)。
測(cè)試儀結(jié)構(gòu)：
薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀外形為柜狀一體化設(shè)計(jì)，左側(cè)為走膜及加壓裝
置，右側(cè)為控制系統(tǒng)及操作面板。
