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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
熱釋電表征
熱釋電效應(yīng)的強(qiáng)弱可用熱釋電系數(shù)來表示。在溫度變化?T的情況下，如果晶體自發(fā)極化強(qiáng)度改變了?P，則?P與?T間的關(guān)系可用下式表示?P=p?T
值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時(shí)，要保持晶體應(yīng)變?yōu)榱愕臈l件是不易實(shí)現(xiàn)的，所以在一般情況下測(cè)得的是自由熱釋電系數(shù)。
反過來，對(duì)熱釋電晶體絕熱施加電場(chǎng)時(shí)，其溫度將發(fā)生變化，這種效應(yīng)稱為逆熱釋電效應(yīng)或電生熱效應(yīng)。
利用熱釋電效應(yīng)可制成良好的紅外敏感元件。其對(duì)熱釋電材料的要求是：①能充分吸收入射的紅外線；②為了使吸收的單位熱能對(duì)應(yīng)大的溫度上升幅度，熱釋電材料體比熱應(yīng)小，且方便加工成微型或薄膜化元件；③跟溫度對(duì)應(yīng)的表面電荷變化大，即熱釋電系數(shù)p大，室溫下的戶值p大，T（居里溫度）適當(dāng)高時(shí)，熱釋電系數(shù)p變大（T低使工作溫度受到限制，且熱釋電系數(shù)p的溫度變化也大）；④與表面電荷變化相應(yīng)的電容小，即材料的介電量??；⑤構(gòu)成嗓聲源之一的介電損耗角正切tanδ小。