您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
會(huì)員.png)
14產(chǎn)品分類品牌分類
-
塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
-
激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元的構(gòu)成
鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元一般有兩結(jié)構(gòu)，分別為 1T1C（One transistor one capacitance）結(jié)構(gòu)和 2T2C （Two transistor two capacitance）結(jié)構(gòu)，如圖 2-3 所 示。前者使用一個(gè)晶體管及一個(gè)鐵電電容組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，而后者則各為兩個(gè)。1T1C 結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是能夠非常大的節(jié)省存儲(chǔ)單元所占芯片面積，但是該結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致陣列中位線（Bit Line）的電壓差變低，讀出時(shí)對(duì)靈敏放大器的要求會(huì)高；2T2C 結(jié)構(gòu)雖然會(huì)使用大的面積，但是由于每個(gè)存儲(chǔ)單元都含有兩個(gè)鐵電電容，其陣列中兩根位線上的電壓差會(huì)大，讀出時(shí)準(zhǔn)確性會(huì)高。
在本文中，我們采用 2T2C 型存儲(chǔ)單元作為我們?cè)O(shè)計(jì)的鐵電存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個(gè)晶體管和兩個(gè)鐵電電容組成，其連接方式如圖 2-3 右圖所示，該存儲(chǔ)單元包含 4 根與外部連接的信號(hào)。其中 WL（Word Line）為字線，連接到兩個(gè)晶體管的柵極，用于控制兩個(gè) NMOS 晶體管的開關(guān)；BL、BLN 為位線，用于向存儲(chǔ)單元中寫入或讀出數(shù)據(jù)；PL（Plate Line）為板線，連接到鐵電電容的一極，用于給鐵電電容充電使其極化；Fcap1 與 Fcap2 是兩個(gè)鐵電電容，其一極共同連接至 PL，另一極分別與兩個(gè) NMOS 相連，當(dāng) WL 開啟時(shí)，這一極便可以與位線導(dǎo)通。