產品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硫化鉿晶體

英文名稱：HQ graphene HfS2 (Hafnium Disulfide) Crystal 

產品概述

HfS2是一種間接帶隙為~ 2ev的半導體。預測單層二硫化鉿的直接帶隙為~1.2 eV。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。HfS2屬于iv族過渡金屬二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制備的二硫化鉿晶體橫向尺寸為~0.6-0.8 cm，呈六角形，外觀呈紅色透明。

HfS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~2 eV. Single layer Hafnium Disulfide is predicted to have a direct band gap of ~1.2 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. HfS2 belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The Hafnium Disulfide crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a red transparent appearance. 

技術參數

純度: 99.995%

尺寸:6-8mm

產品特點

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應用領域

硫化鉿晶體因其特殊的結構和電學性能，成為傳感器領域的有力候選材料。它可以用于制造氣體傳感器、壓力傳感器和濕度傳感器等。這些傳感器利用了二硫化鉿晶體的高靈敏度和快速響應特性，在環(huán)境監(jiān)測和工業(yè)自動化中有著重要應用。

在生物醫(yī)學領域，二硫化鉿納米片被探索用于治療炎癥性腸病。例如，單寧酸封端的二硫化鉿納米片（HfS2@TA）通過液相剝離法制備，顯示出清除活性氧（ROS）和靶向結腸的能力，這為腫瘤和其他疾病的治療提供了新的思路。

硫化鉿單層是未來納米電子器件中最有前途的二維材料之一。研究人員正在開發(fā)基于HfS2的場效應晶體管（FET），這種設備具有超低功耗的特點，并且可以實現多通道架構。這些特性使得HfS2在高性能計算和數據存儲方面具有潛在的應用前景。

由于其直接帶隙半導體性質，單層二硫化鉿晶體在光電和光電子學中也有廣泛應用。例如，它可以用作激光器和光電探測器的核心材料，因其優(yōu)異的光學特性和儲能性能而受到重視。

硫化鉿晶體還可以作為催化劑使用，特別是在高溫條件下。此外，它在能源存儲和轉換設備中的應用也正在研究之中，如超級電容器和鋰離子電池等。