一：CompactStat.e技術(shù)參數(shù)：

zui大電流：±30mA 
zui大輸出電壓：±10V 
施加電位范圍：-10V- +10V

電流范圍：±1pA - ±10mA 
測(cè)量電流分辨率：0.015%，zui小0.15fA。 
施加電流分辨率：0.0125% 
施加電流精度：0.2% 
電位范圍：±0.4mV- ±10V

測(cè)量電位分辨率：0.003%，zui小16nV 
交流阻抗頻率范圍：10μHz - 3MHz

二：CompactStat.e20250技術(shù)參數(shù)： 

zui大電流：±250mA 
zui大輸出電壓：±20V 
施加電位范圍：-20V-  +20V 
施加電位精度：0.2% 
電流范圍：±1pA - ±100mA 
測(cè)量電流分辨率：0.015%，zui小0.15fA。 
施加電流分辨率：0.0125% 
施加電流精度：0.2% 
電位范圍：：±2mV- ±20V

測(cè)量電位分辨率：0.003%，zui小16nV 
交流阻抗頻率范圍：10μHz - 3MHz

主要特點(diǎn)：

1. 具有所有的電化學(xué)方法和交流阻抗方法，更的交流阻抗擬合軟件。

2. 更寬的交流阻抗頻率范圍：10uHz - 3MHz。

3. *的混合模式-Mixed mode測(cè)量方法，將zui多255個(gè)電信號(hào)任意組合， 
   進(jìn)行自動(dòng)測(cè)量，可任意施加五個(gè)不同信號(hào)，包括：電位階躍、電流階躍、電位掃描、 
   電流掃描、開(kāi)路電位，并在施加階躍/掃描信號(hào)的同時(shí)測(cè)量交流阻抗（內(nèi)阻）。

4. 太陽(yáng)能材料光電化學(xué)性能：I-V曲線和光電流測(cè)量，擬合模型， 
   zui大功率點(diǎn)、填充因數(shù)和轉(zhuǎn)換效率等參數(shù)。

5. 強(qiáng)大的電化學(xué)噪聲分析功能：
   時(shí)域分析方法：腐蝕電流、點(diǎn)蝕和局部腐蝕指數(shù)、腐蝕電阻 
   FFT頻率域分析方法：電流和電位噪聲的FFT譜圖，阻抗譜圖，腐蝕電阻等。 
   MEM（zui大熵法）頻域分析。

6. 自選浮地和非浮地連接。

7. *的USB供電模式。