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貨物所在地：上海上海市
更新時間：2025-03-30 21:00:05
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背景知識
利用光整流效應產(chǎn)生 THz 的方法是一種常見的 THz 產(chǎn)生方法。在 20 世紀70 年代初，Yajima 以及 Yang 等人分別報道了利用光整流效應在非線性晶體中輻射 THz。當一束強激光在非線性介質中傳播的時候，強光在介質內部通過差頻振蕩會產(chǎn)生一個恒定的電極化場，光整流效應是一種二階非線性效應，可以看作 Pockels 電光效應的逆過程。利用光整流效應產(chǎn)生 THz 的非線性晶體，一般選擇有 LN 晶體、ZnTe 晶體等閃鋅礦半導體。當飛秒激光打在非線性晶體上，基于海森伯不確定原理，脈沖寬度為飛秒量級的脈沖激光包含有較寬的頻譜，在二階非線性過程中，這些不同頻率的光波差頻產(chǎn)生低頻的電磁脈沖，這就是 THz輻射。在此非線性過程中，相位匹配是非常重要的因素。相位匹配要求參與非線性過程的各個頻率光波的頻率和波失都要守恒，只有滿足此條件，晶體才能有效的輻射處 THz 脈沖。
產(chǎn)品簡介
ZnTe碲化鋅晶體是一種具有立方閃鋅礦結構的電光晶體，通常被應用于THz波的產(chǎn)生以及探測。
ZnTe碲化鋅晶體
產(chǎn)品特點：
— 應用于THz產(chǎn)生、探測和光學限幅器
— 晶體純度高 99.995%-99.999%
— 表面質量優(yōu)良
ZnTe碲化鋅晶體參數(shù)規(guī)格：
晶格結構： | 立方閃鋅礦 |
密度: | 5.633 g/ cm3 |
比熱: | 0.16 J/gK |
帶隙 (300 K)： | 2.25 eV |
zui大透過率 (λ =7-12 μm): | 60 % |
zui大電阻率： | 109 Ohm*cm |
折射率 (λ =10.6 μm): | 2.7 |
電光系數(shù) r41 (λ =10.6 μm): | 4.0×10-12 m/V |
電阻率： | a). low: < 103 Ohm*cm |
zui大 IR-optic blank 直徑/長度： | Ø 38×20 mm |
zui大單晶尺寸 直徑/長度： | Ø 38×20 mm |
ZnTe產(chǎn)品：ZnTe棒、晶圓片、窗片和基底
直徑/邊長： | 1-50 mm |
厚度/長度： | 0.1-150 mm |
晶向： | (110), (100), (111) |
表面質量： | As-cut, 80/50, 60/40 per <span color:windowtext;"="" style="font-size: 8.5pt;">MIL-0-13830 |
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