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反射率光電測(cè)定法ELCO OS10S-RPCP6

時(shí)間：2022/9/6閱讀：248
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      光電測(cè)定法是測(cè)定反射率的一種精密方法。用光電元件測(cè)定反射率標(biāo)準(zhǔn)和被測(cè)物體反射光產(chǎn)生的光電流，將電流強(qiáng)度代入一定計(jì)算公式，即可由標(biāo)準(zhǔn)的反射率算出被測(cè)物體的反射率。

      有些半導(dǎo)體如硫化鎘等，在黑暗的環(huán)境下它的電阻是很高的，如受到光的照射，半導(dǎo)體原子中的電子被激發(fā)，增加了導(dǎo)電性能，使半導(dǎo)體的電阻減低，故光照射到光電阻上時(shí)線路中的電流就增大。硫化鎘光電阻是有硫化鎘單晶體制成的，單晶體積很小，放置在塑料壓成的基板上如圖1所示。基板上有不銹鋼制成的兩個(gè)電極，用特種銀膏時(shí)晶體與電極連接，在基板的上面用塑料壓成的保護(hù)罩，保護(hù)罩的頂端有塑料制成的小窗以便光線透入，透明塑料對(duì)光線的透明度必普通的玻璃好，為了適合需要，保護(hù)罩頂端的小窗有平面的，亦有制成透鏡式的，透鏡式的聚焦后的光線使照度提高2-3倍，靈敏度也將有所增加 。

      國(guó)產(chǎn)KTO-GT硫化鎘光電阻的光譜特性如圖1所示，從圖1中可以看出對(duì)于可見(jiàn)光部分具有相當(dāng)高的敏感度并且它的光流與電流有近似正比的關(guān)系。
另外，此種光電阻又與工作電流電壓有如圖2的直線型變化關(guān)系。
從其伏安特性曲線來(lái)看，所加電壓愈高，光電流亦隨之愈大，但須注意KTO-GT硫化鎘光電阻按其規(guī)格各有不同的允許最高電壓，在外加最高電壓內(nèi)，其外加電壓與光電流是嚴(yán)格的成正比關(guān)系。
綜合KTO-GT硫化鎘光電阻的光譜特性、光照特性、老化特性及工作電壓特性來(lái)看*可用于金屬礦物的反射率測(cè)定上。
由光源發(fā)出的光經(jīng)聚光鏡成為平行光束射入積分球，反射鏡反光線反射到被測(cè)物。為了使光能夠在積分球內(nèi)均勻分布， 以致積分球各處的光照度相同，利用光阱吸收由被測(cè)物直射到傳感器的光，而擋板的作用是改變由被測(cè)物經(jīng)1 次反射到達(dá)傳感器的光的方向, 使此光束能夠在積分球內(nèi)部多次積分后得到的均勻反射光匯集到光電探測(cè)器上


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