200KV沖擊電壓發(fā)生器直流充電部分

 采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV；

采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電流30mA；
采用絕緣筒油浸式充電變壓器，變壓器密封良好，無滲漏油；
采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆；
高壓整流硅堆保護電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；
恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，實際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
直流電阻分壓器采用100kV，200MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
自動接地開關(guān)采用鋼帶接地機構(gòu)，試驗停止時可自動將主電容器經(jīng)保護電阻短路接地。
直流充電裝置的正負極性為自動倒換；
恒流充電的裝置、充電變壓器、高壓整流硅堆、倍壓電容、電阻分壓器、限流電阻和下位機及本體部分等安裝在同一移動式底盤上。

等值電路

沖擊電壓發(fā)生器動作時的等值電路。主電容，又稱沖擊電容，它相當于各級串聯(lián)后的總電容,即;C2為負荷電容,即C2=C0，它包括調(diào)波電容、試品電容、測量設備（分壓器）電容及聯(lián)線等寄生電容;G 代表控制放電的球隙;Rf和Rt分別為波頭電阻和波尾電阻,它們相當于各級rf和rt的總和，即Rf=nrf，Rt=nrt；U1為充電電壓,它相當于各級串聯(lián)后的總電壓，即U1=nV；U2為輸出電壓,即所需的沖擊電壓。此等值電路相當于單級沖擊電壓發(fā)生器的電路。根據(jù)電路分析，輸出電壓U2(t)為一雙指數(shù)函數(shù)
τ1>>τ2
參考此分析解，并根據(jù)實際經(jīng)驗，沖擊電壓波形參數(shù)可按下式作近似估計：波前時間
半峰值時間
T2≈0.69Rt(C1+C2)

 200KV沖擊電壓發(fā)生器額定參數(shù)值

 額定標稱電壓：±400kV

額定級電壓：±100kV
額定能量：10kJ
沖擊總電容：0.25μF
總級數(shù)：4級
額定級電容量：0.5μF

負荷電容為300~5000PF時能產(chǎn)生下列波形：

1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波，電壓效率≥92%(空載)

2、2～6μs的標準沖擊電壓截波，電壓效率≥92%(空載)

3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國家標準的要求

4、同步范圍：級電壓在10%～100%額定電壓范圍內(nèi)，正負極性同步范圍不小于20%；

5、點火范圍10%～100%

6、同步放電失控率：＜ 2%

7、輸出電壓：≤10un

8、充電電壓不穩(wěn)定度：≤±1.0%

9、使用持續(xù)時間：＞70%un額定電壓以上，每90秒充放電一次可連續(xù)運行；在＜70%un額定電壓下，每45秒充放電一次可連續(xù)運行。

 效率

輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即
η=(V2m /nV)×100%
對雷電沖擊波，η一般約80%；對操作沖擊波，η有時僅60%。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr)、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān)，均需通過實際調(diào)試進行調(diào)整和確定。
對于電力變壓器等帶有繞組的電力設備，通常還要求做雷電沖擊截波試驗。外接一截斷間隙即可產(chǎn)生沖擊截波。標準雷電截波是標準雷電沖擊波經(jīng)過2～5μs截斷的波形。是高電壓試驗室的基本試驗設備之一。目前中國已建的額定電壓為6MV，有的國家個別的高達10MV。