應用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
200KV沖擊電壓發(fā)生器直流充電部分
采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式,額定輸出電壓±100kV;
采用雙邊不對稱式可控硅恒流充電方式,額定輸出電流30mA;
采用絕緣筒油浸式充電變壓器,變壓器密封良好,無滲漏油;
采用2DL-200kV/200mA的高壓整流硅堆;
高壓整流硅堆保護電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上;
恒流充電裝置在10%~100%額定充電電壓范圍內(nèi),實際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%,充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%,充電電壓的可調(diào)精度為1%;
直流電阻分壓器采用100kV,200MΩ油浸式金屬膜電阻,低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi);
自動接地開關(guān)采用鋼帶接地機構(gòu),試驗停止時可自動將主電容器經(jīng)保護電阻短路接地。
直流充電裝置的正負極性為自動倒換;
恒流充電的裝置、充電變壓器、高壓整流硅堆、倍壓電容、電阻分壓器、限流電阻和下位機及本體部分等安裝在同一移動式底盤上。
等值電路
沖擊電壓發(fā)生器動作時的等值電路。主電容,又稱沖擊電容,它相當于各級串聯(lián)后的總電容,即;C2為負荷電容,即C2=C0,它包括調(diào)波電容、試品電容、測量設備(分壓器)電容及聯(lián)線等寄生電容;G 代表控制放電的球隙;Rf和Rt分別為波頭電阻和波尾電阻,它們相當于各級rf和rt的總和,即Rf=nrf,Rt=nrt;U1為充電電壓,它相當于各級串聯(lián)后的總電壓,即U1=nV;U2為輸出電壓,即所需的沖擊電壓。此等值電路相當于單級沖擊電壓發(fā)生器的電路。根據(jù)電路分析,輸出電壓U2(t)為一雙指數(shù)函數(shù)
τ1>>τ2
參考此分析解,并根據(jù)實際經(jīng)驗,沖擊電壓波形參數(shù)可按下式作近似估計:波前時間
半峰值時間
T2≈0.69Rt(C1+C2)
200KV沖擊電壓發(fā)生器額定參數(shù)值
額定標稱電壓:±400kV
額定級電壓:±100kV
額定能量:10kJ
沖擊總電容:0.25μF
總級數(shù):4級
額定級電容量:0.5μF
負荷電容為300~5000PF時能產(chǎn)生下列波形:
1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波,電壓效率≥92%(空載)
2、2~6μs的標準沖擊電壓截波,電壓效率≥92%(空載)
3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311-97國家標準的要求
4、同步范圍:級電壓在10%~100%額定電壓范圍內(nèi),正負極性同步范圍不小于20%;
5、點火范圍10%~100%
6、同步放電失控率:< 2%
7、輸出電壓:≤10un
8、充電電壓不穩(wěn)定度:≤±1.0%
9、使用持續(xù)時間:>70%un額定電壓以上,每90秒充放電一次可連續(xù)運行;在<70%un額定電壓下,每45秒充放電一次可連續(xù)運行。
效率
輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η,即
η=(V2m /nV)×100%
對雷電沖擊波,η一般約80%;對操作沖擊波,η有時僅60%。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr)、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān),均需通過實際調(diào)試進行調(diào)整和確定。
對于電力變壓器等帶有繞組的電力設備,通常還要求做雷電沖擊截波試驗。外接一截斷間隙即可產(chǎn)生沖擊截波。標準雷電截波是標準雷電沖擊波經(jīng)過2~5μs截斷的波形。是高電壓試驗室的基本試驗設備之一。目前中國已建的額定電壓為6MV,有的國家個別的高達10MV。