主要部件

直流充電部分

采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV；
采用雙邊不對(duì)稱式可控硅恒流充電方式，額定輸出電流30mA；
采用絕緣筒油浸式充電變壓器，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；
采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆；
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；
恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
直流電阻分壓器采用100kV，200MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用鋼帶接地機(jī)構(gòu)，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻短路接地。

效率

資質(zhì)沖擊電壓發(fā)生器裝置輸出電壓幅值V2m與充電電壓пV 之比稱作發(fā)生器的效率η，即
η=(V2m /nV)×100%
對(duì)雷電沖擊波，η一般約80%；對(duì)操作沖擊波，η有時(shí)僅60%。
沖擊電壓波形參數(shù)T1(Tcr)、T2及發(fā)生器效率η與回路結(jié)構(gòu)和參數(shù)有關(guān)，均需通過(guò)實(shí)際調(diào)試進(jìn)行調(diào)整和確定。
對(duì)于電力變壓器等帶有繞組的電力設(shè)備，通常還要求做雷電沖擊截波試驗(yàn)。沖擊電壓發(fā)生器外接一截?cái)嚅g隙即可產(chǎn)生沖擊截波。標(biāo)準(zhǔn)雷電截波是標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波經(jīng)過(guò)2～5μs截?cái)嗟牟ㄐ巍?br />沖擊電壓發(fā)生器是高電壓試驗(yàn)室的基本試驗(yàn)設(shè)備之一。目前中國(guó)已建的沖擊電壓發(fā)生器額定電壓為6MV，有的國(guó)家個(gè)別的高達(dá)10MV。

等值電路

資質(zhì)沖擊電壓發(fā)生器裝置動(dòng)作時(shí)的等值電路。C1為主電容，又稱沖擊電容，它相當(dāng)于各級(jí)串聯(lián)后的總電容,即;C2為負(fù)荷電容,即C2=C0，它包括調(diào)波電容、試品電容、測(cè)量設(shè)備（分壓器）電容及聯(lián)線等寄生電容;G 代表控制放電的球隙;Rf和Rt分別為波頭電阻和波尾電阻,它們相當(dāng)于各級(jí)rf和rt的總和，即Rf=nrf，Rt=nrt；U1為充電電壓,它相當(dāng)于各級(jí)串聯(lián)后的總電壓，即U1=nV；U2為輸出電壓,即所需的沖擊電壓。此等值電路相當(dāng)于單級(jí)沖擊電壓發(fā)生器的電路。根據(jù)電路分析，輸出電壓U2(t)為一雙指數(shù)函數(shù)
τ1>>τ2
參考此分析解，并根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，沖擊電壓波形參數(shù)可按下式作近似估計(jì)：波前時(shí)間
半峰值時(shí)間
T2≈0.69Rt(C1+C2)

主要參數(shù)

1.標(biāo)稱雷電波沖擊電壓： SGSC-±400kV;
2.標(biāo)稱容量(能量)：20kJ;
3. 級(jí)電容：1μF,100kV（2×50kV-2μF）干式全絕緣封裝，*漏油變形;
4. 級(jí)電壓：100kV;
5. 級(jí)數(shù)/級(jí)容量：4/5kJ;
6. 輸出標(biāo)準(zhǔn)波形及幅值：1個(gè);
正負(fù)極性雷電沖擊波空載/負(fù)載（負(fù)荷電容<5000pF）輸出時(shí)，電壓利用系數(shù)不小于90%;
7. 同步范圍：大于20%;
8. 使用持續(xù)時(shí)間：小于80%額定工作電壓時(shí)可連續(xù)工作；大于80%額定工作電壓時(shí)可間斷工作;
9. 幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%，輸出電壓不大于10%設(shè)備標(biāo)稱電壓;
10. 同步誤動(dòng)率：小于1;