該臺式納米顆粒沉積系統(tǒng)，專為正在研究納米顆粒性質(zhì)和應用的科學家或技術人員而設計。 該儀器可產(chǎn)生非團聚的超純納米顆粒涂層。
該系統(tǒng)的設計使用簡單，通過清晰的樣品引入門和簡單的觸摸屏即可輕松加載樣品，從而簡化系統(tǒng)操作。

緊湊型臺式設計和簡單的觸摸屏操作使該系統(tǒng)非常適合任何研究納米顆粒應用的實驗室。
真空沉積工藝可生產(chǎn)出無烴或其他污染物的超純納米顆粒，這通常困擾化學技術。 納米顆粒涂層直接沉積在您的基材上，經(jīng)過30分鐘的典型循環(huán)時間后即可進行分析； 無需進一步的干燥或純化步驟。

該系統(tǒng)可在真空中生成超純和單分散的納米顆粒，然后將其直接沉積到目標基質(zhì)上。 NL50避免了使用溶液和粉末基納米顆粒時面臨的許多問題。
該系統(tǒng)可以在幾分鐘內(nèi)將納米顆粒沉積到任何固體基材上。常用材料的簡單配方使研究人員能夠?qū)⒙懵兜募{米粒子（例如Ag或Au）沉積到其基底上，
然后準備用所需的蛋白質(zhì)或抗體直接進行功能化。 該系統(tǒng)利用一種稱為終止氣體聚集的技術在真空中生成納米顆粒。

為什么選擇該NL50納米顆粒沉積系統(tǒng)
通過克合成的化學合成納米顆粒已經(jīng)問世，那么為什么要投資購買沉積真空相納米顆粒的設備呢？該系統(tǒng)中產(chǎn)生的納米粒子超純且不含表面活性劑或配體，并且在沉積后即可立即進行功能化，從而無需冗長而復雜的多步化學純化工藝。納米顆粒也是單分散的，因此避免了與結塊有關的問題。實時控制沉積密度，可確保從單分散顆粒到3D多孔涂層的各種應用中可重復的結果。使用這種技術，納米材料的切換也非常快捷。與化學合成開發(fā)需要花費數(shù)月的時間不同，目標材料可以在數(shù)分鐘內(nèi)更換，以沉積各種常見的金屬或合金。直接沉積到基材上意味著浪費少，因為僅需按需制備納米顆粒即可。

可在客戶的樣品上沉積一系列純凈的納米顆粒和合金納米顆粒。
沉積過程是在真空中進行的，以確?？煽氐臒o污染過程。
我們提供對納米顆粒尺寸和面積覆蓋的出色控制。
可以優(yōu)化納米顆粒薄膜的孔隙率，以滿足客戶的需求。
我們還可以提供某些材料的一些標準演示樣本。
由該納米顆粒沉積系統(tǒng)產(chǎn)生的納米粒子是通過磁控管濺射法生成的，使用的是少量的氬等離子體，以生成所需材料的原子。
然后，這些原子在非常短的時間內(nèi)（<1μs）被熱化并形成納米顆粒。
納米顆粒通過一個小孔射入沉積室并射到樣品上
用戶可以通過調(diào)節(jié)等離子體功率和氬氣流量在2-20nm左右的范圍內(nèi)改變尺寸（取決于材料）。

超純納米顆粒
納米顆粒沉積系統(tǒng)利用磁控濺射在真空中產(chǎn)生一束超純納米顆粒。 納米粒子的特征是：
●超純無烴
●不結塊
results一致且可重復的結果
●選擇材料包括Au，Ag，Cu，Pt，Ir，Ni，Ti和Zr
●生成復合納米顆粒，例如氮化物和氧化物

沉積控制

使用石英晶體監(jiān)控器（QCM）進行實時沉積控制，可以對從亞單層覆蓋到多孔3D結構的表面載荷進行且可重復的控制。 沉積時間通常為幾分鐘。 沉積速率范圍為10-50ng / cm²s

靈活的基板加載
NL50專為各種基材類型而設計，直徑大可達50mm。 由于在沉積室內(nèi)不會產(chǎn)生熱量，因此即使是易碎的基材也適用。 基材包括但不限于
●顯微鏡載玻片
●培養(yǎng)皿
●微孔板
●電極
●膜
●塑料
易于使用
直觀的用戶界面易于使用，并允許抽空和沉積順序的*自動化。
●全自動抽氣和排氣
common預加載的常見材料優(yōu)化沉積設置
●用戶可以控制沉積條件以改變納米粒子的大小和沉積速率
using使用沉積重量或沉積時間選擇沉積控制。
表面清潔和預處理
該系統(tǒng)提供對導電基材的可選原位等離子體清潔。
在真空中，等離子體清潔從基底上除去吸附的分子，以幫助沉積的納米顆粒粘附并在沉積之前使基底表面功能化。
對于易碎的基材，只需在配方中取消選擇等離子體清潔步驟。