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四探針測(cè)試儀

許多器件的重要參數(shù)和薄層電阻有關(guān)，在半導(dǎo)體工藝飛速發(fā)展的今天，微區(qū)的薄層電阻均勻性和電特性受到了人們的廣泛關(guān)注。隨著集成電路研究的快速發(fā)展，新品種不斷開發(fā)出來，并對(duì)開發(fā)周期、產(chǎn)品性能（包括IC的規(guī)模、速度、功能復(fù)雜性、管腳數(shù)等）的要求也越來越高。因此不僅需要完善的設(shè)計(jì)模擬工具和穩(wěn)定的工藝制備能力，還需要可靠的測(cè)試手段，對(duì)器件性能做出準(zhǔn)確無誤的判斷，這在研制初期尤其重要。四探針法在半導(dǎo)體測(cè)量技術(shù)中已得到了廣泛的應(yīng)用，尤其近年來隨著微電子技術(shù)的加速發(fā)展，四探針測(cè)試技術(shù)已經(jīng)成為半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中應(yīng)用廣泛的工藝監(jiān)控手段之一。本文在分析四探針技術(shù)幾種典型測(cè)試原理的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)討論了改進(jìn)Rymaszewski法的應(yīng)用，研制出一種新型測(cè)試儀器，并對(duì)實(shí)際樣品進(jìn)行了測(cè)試。

四探針測(cè)試技術(shù)綜述 
四探針測(cè)試技術(shù)方法分為直線四探針法和方形四探針法。方形四探針法又分為豎直四探針法和斜置四探針法。方形四探針法具有測(cè)量較小微區(qū)的優(yōu)點(diǎn)，可以測(cè)試樣品的不均勻性，微區(qū)及微樣品薄層電阻的測(cè)量多采用此方法。四探針法按發(fā)明人又分為Perloff法、Rymaszewski法、范德堡法、改進(jìn)的范德堡法等。值得提出的是每種方法都對(duì)被測(cè)樣品的厚度和大小有一定的要求，當(dāng)不滿足條件時(shí)，必須考慮邊緣效應(yīng)和厚度效應(yīng)的修正問題

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