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DYJX-66B抗干擾介質(zhì)損耗測試儀(CVT變比)

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更新時間:2020-06-10 16:45:51瀏覽次數(shù):122

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產(chǎn)品簡介

應(yīng)用領(lǐng)域 電氣
DYJX-66B抗干擾介質(zhì)損耗測試儀(CVT變比)適用于變電站等電磁干擾大的現(xiàn)場測試。廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測

詳細介紹

DYJX-66B抗干擾介質(zhì)損耗測試儀(CVT變比)采用變頻電源技術(shù),利用單片機、和現(xiàn)代化電子技術(shù)進行自動頻率變換、模/數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)運算;達到抗*力強、測試速度快、精度高、全自動數(shù)字化、操作簡便;電源采用大功率開關(guān)電源,輸出 45Hz 和 55Hz 純正弦波,自動加壓,可提供 10 千伏的電壓;自動濾除 50Hz干擾,適用于變電站等電磁干擾大的現(xiàn)場測試。廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測

產(chǎn)品功能特點:

1.變頻抗干擾

采用變頻抗干擾技術(shù),在200%干擾下仍能準確測量,測試數(shù)據(jù)穩(wěn)定,適合在現(xiàn)場做抗干擾介損試驗。

2.高精度測量

采用頻率浮動、數(shù)字波形分析和電橋自校準等技術(shù),配合高精度三端標準電容器,實現(xiàn)高精度介損測量,并且正/反接線測量的準確度和穩(wěn)定性*。

儀器所有量程輸入電阻低于2Ω,消除了測試線附加電容的影響。

可外接油杯做精密絕緣油介損試驗,可外接固體材料測量電做精密絕緣材料介損試驗。

3.兼容性好

自動識別50Hz / 60Hz系統(tǒng)電源,支持發(fā)電機供電,即使頻率波動大,也可正常測量。

內(nèi)置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型,可與校驗臺和介損標準器*兼容,方便儀器檢定。

4.多級安全保護,確保人身和設(shè)備安全

高壓保護:試品短路、擊穿或高壓電流波動,能以短路方式高速切斷輸出。

低壓保護:誤接380V、電源波動或突然斷電,啟動保護,不會引起過電壓。

接地保護:儀器接地不良使外殼帶危險電壓時,啟動接地保護。

C  V  T:高壓電壓和電流、低壓電壓和電流四個保護限,不會損壞設(shè)備;誤選菜單不會輸出激磁電壓。CVT測量時無10kV高壓輸出。

防誤操作:兩級電源開關(guān);電壓、電流實時監(jiān)示;多次按鍵確認;接線端子高/低壓分明;緩速升壓,可迅速降壓,聲光報警。

防“容升”:測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗電壓恒定。

抗震性能:儀器采用*抗震設(shè)計,可耐受強烈長途運輸震動、顛簸而不會損壞。

高壓電纜:為耐高壓絕緣導(dǎo)線,可拖地使用。

5.技術(shù)突破,功能強大

(1)具有外接標準電容器接口,自動跟蹤外接試驗電源頻率40Hz~70Hz,支持工頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗。

(2)具有回路接觸不良放電提示功能,以方便判別接線是否可靠。

(3)具有CVT自激法測量功能,C1/C2可一次接線同時測出,自動補償母線接地和標準電容器的分壓影響,無須換線和外接任何配件,并且高壓連接線可以拖地。

(4)中文圖文菜單,大屏幕背光LCD顯示。

(5)配置熱敏打印機,打印數(shù)據(jù)清晰快捷、無噪音。

(6)DYJX-66B抗干擾介質(zhì)損耗測試儀(CVT變比)帶日歷時鐘,可存儲100組測量數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù):

1、環(huán)境溫度:0~40℃       
2、相對濕度:30% ~70% 
3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 
4、外形尺寸:500mm×300mm×400mm 
5、重量:約18Kg           
6、輸出功率:0.6KVA 
7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 
8、測量范圍及輸出電壓選擇:
    介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 
    試品電容容量(Cx)和加載電壓: 
    2.5KV檔:≤300nF(300000pF)      3KV檔:≤200nF(200000pF) 
    5KV檔:≤76nF(76000pF)          7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 
    10KV檔:≤20nF(20000pF) 
9、基本測量誤差:
    介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個字(加載電流20uA~500mA) 
    介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個字(加載電流5uA~20uA) 
    電容容量(Cx):1.5%±1.5pF

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