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正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析
閱讀：1048 發(fā)布時(shí)間：2022-10-31正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析
它是一種可以使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）的微缺陷和空隙的方法。
正電子壽命測(cè)量是一種能夠使用正電子評(píng)估亞納米尺寸（原子級(jí)）微缺陷和空隙的技術(shù)。
本設(shè)備的應(yīng)用示例
噴丸質(zhì)量檢查
金屬疲勞損傷評(píng)估
用途
鋼、鋁、鈦等各種金屬
無定形材料，例如玻璃和聚合物
測(cè)量深度距表面約 50 μm（鋼材）
正電子壽命法原理
圖1是正電子進(jìn)入金屬材料并湮滅的示意圖。
正電子壽命測(cè)量方法是一種精確測(cè)量正電子產(chǎn)生過程中發(fā)射的γ射線與電子對(duì)湮滅過程中產(chǎn)生的γ射線之間的時(shí)間差（正電子壽命）的技術(shù)。
當(dāng)材料中存在更多空位并且位錯(cuò)密度更高時(shí)，正電子壽命更長。規(guī)格
正電子源 Na-22 (~1MBq) 計(jì)數(shù)率 約 100 cps 測(cè)量范圍 40 ns（用于金屬、半導(dǎo)體和聚合物） 附屬設(shè)備 ?HDO4024（Teledyne LeCroy DSO）、
（HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm]）
?特殊程序
?筆記本電腦等