目錄:北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀>>1MHZ介電常數(shù)測試儀>> GDAT-A陶瓷片介電常數(shù)試驗(yàn)儀
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 2萬-5萬 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合 |
陶瓷片介電常數(shù)試驗(yàn)儀
大電容值直接測量顯示功能： 測量值可達(dá)25nF
介質(zhì)損耗系數(shù)： 精度 萬分之一 / LCD直接顯示
介電常數(shù)： 精度 千分之一 / LCD直接顯示
材料測試厚度： 0.1mm-10mm
陶瓷片介電常數(shù)試驗(yàn)儀
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號：10KHZ-70MHZ
信號源頻率覆蓋比： 7000:1
信號源頻率精度6位有效數(shù)： 3×10-5 ±1個字
采樣精度： 12BIT 高精度的AD采樣，保證了Q值的穩(wěn)定性，以及低介質(zhì)損耗材料測試時候的穩(wěn)定性
Q測量范圍： 1-1000自動/手動量程
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時
測量項(xiàng)目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時
測量項(xiàng)目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
Q分辨率： 4位有效數(shù),分辨率0.1
1.平板電容器：
極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2.夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3.夾具損耗正切值≤4×10－4（1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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