廠家推薦高壓介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品特性：

◆ 變頻抗干擾：采用變頻抗干擾技術(shù)，在200%干擾下仍能準(zhǔn)確測量，測試數(shù)據(jù)穩(wěn)定，適合在現(xiàn)場做抗干擾介損試驗(yàn)。
  ◆ 高精度測量：采用頻率浮動、數(shù)字波形分析和電橋自校準(zhǔn)等技術(shù)，配合高精度三端標(biāo)準(zhǔn)電容器，實(shí)現(xiàn)高精度介損測量，并且正/反接線測量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性*。儀器所有量程輸入電阻低于2Ω，消除了測試線附加電容的影響?？赏饨佑捅鼍芙^緣油介損試驗(yàn)，可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗(yàn)。
  ◆ 適用性強(qiáng)：自動識別50Hz/60Hz系統(tǒng)電源，支持發(fā)電供電，即使頻率波動大，也可正常測量。內(nèi)置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型，可與校驗(yàn)臺和介損標(biāo)準(zhǔn)器*兼容，方便儀器檢定。
  ◆ 多級安全保護(hù)，確保人身和設(shè)備安全
     高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能以短路方式高速切斷輸出。
     低壓保護(hù)：誤接380V、電源波動或突然斷電，啟動保護(hù)，不會引起過電壓。
     接地保護(hù)：儀器接地不良使外殼帶危險電壓時，啟動接地保護(hù)。
      C  V  T：高壓電壓和電流、低壓電壓和電流四個保護(hù)限，不會損壞設(shè)備；誤選菜單不會輸出激磁電壓。CVT測量時無10kV高壓輸出。
     防誤操作：兩級電源開關(guān)；電壓、電流實(shí)時監(jiān)示；多次按鍵確認(rèn)；接線端子高/低壓分明；緩速升壓，可迅速降壓，聲光報(bào)警。
   防“容升”：測量大容量試品時會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定。
     抗震性能：儀器采用*抗震設(shè)計(jì)，可耐受強(qiáng)烈長途運(yùn)輸震動、顛簸而不會損壞。
     高壓電纜：為耐高壓絕緣導(dǎo)線，可拖地使用。
  ◆ 功能強(qiáng)大
    （1）具有正/反接線，內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容，內(nèi)/外高壓多種工作模式，一體化結(jié)構(gòu)，可做各種常規(guī)介損試驗(yàn)，不需外接任何輔助設(shè)備。
    （2）具有四通道正接線模式，方便變壓器套管介損試驗(yàn)。
    （3）具有外接標(biāo)準(zhǔn)電容器接口，自動跟蹤外接試驗(yàn)電源頻率40Hz~70Hz，支持工頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗(yàn)。
    （4）具有回路接觸不良放電提示功能，以方便判別接線是否可靠。
    （5）具有CVT自激法測量功能，C1/C2可一次接線同時測出，自動補(bǔ)償母線接地和標(biāo)準(zhǔn)電容器的分壓影響，無須換線和外接任何配件，并且高壓連接線可以拖地。
    （6）具有CVT變比功能，可測量CVT變比、極性和相位誤差。
    （7）具有反接線低壓屏蔽功能，在220kVCVT母線接地情況下，對C11可進(jìn)行不拆線10kV反接線介損測量，并且可一次性接線同時對主、從兩個電容進(jìn)行測量。
    （8）中文圖文菜單，大屏幕背光LCD顯示。
    （9）配置熱敏打印機(jī)，打印數(shù)據(jù)清晰快捷、無噪音。
    （10）帶日歷時鐘，可存儲256組測量數(shù)據(jù)。
    （11）帶計(jì)算機(jī)接口。通過該接口，實(shí)現(xiàn)測量、數(shù)據(jù)處理和報(bào)表輸出，也可實(shí)現(xiàn)儀器內(nèi)部測量軟件升級。

廠家推薦高壓介質(zhì)損耗測試儀

技術(shù)指標(biāo)

  1、環(huán)境：-5℃～40℃（液晶屏應(yīng)避免長時間日照）

  2、相對濕度：30%～70%

  3、供電電源：電壓：220V±10%，頻率50±1Hz

  4、外形尺寸：長*寬*高=500mm*300mm*400mm

  5、重量：28kg

  6、輸出功率：1.5KVA

  7、顯示分辨率：3位、4位（內(nèi)部全是6位）

  8、測試方法：正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法

  9、測量范圍：內(nèi)接試驗(yàn)電壓：≤60000PF（10KV電壓大于30000PF）

           外接試驗(yàn)電壓：由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定

 10、基本測量誤差：

       介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±0.04%

電容容量（Cx）：1%±1pF