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晶圓探針臺(tái)的檢測(cè)流程

閱讀:2882      發(fā)布時(shí)間:2022-12-16
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  晶圓探針臺(tái)是在半導(dǎo)體開發(fā)和制造過程中用于檢測(cè)晶圓電氣特性的設(shè)備。電氣測(cè)試包括通過探針或探針卡將測(cè)試信號(hào)從測(cè)定器或測(cè)試儀發(fā)送到晶圓上的各個(gè)器件,并得到各器件的信號(hào)反饋。這個(gè)時(shí)候,用于晶圓搬送并與事先設(shè)定的位置進(jìn)行接觸的設(shè)備稱為晶圓探針臺(tái)。它能夠滿足12英寸、8英寸晶圓的測(cè)試需求,通過高精度定位平臺(tái)、高剛性晶圓承載臺(tái)和高分辨率仰視相機(jī)(探針相機(jī))及俯視相機(jī)(晶圓相機(jī)),實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)上下晶圓料片、對(duì)針和高精度扎針,與測(cè)試機(jī)配合完成對(duì)晶圓上集成電路的品質(zhì)檢測(cè)。
 
  圓測(cè)試是在半導(dǎo)體器件制造過程中執(zhí)行的一個(gè)步驟。在此步驟中,在將晶圓送至芯片準(zhǔn)備之前執(zhí)行,晶圓上存在的所有單個(gè)集成電路都通過對(duì)其應(yīng)用特殊測(cè)試模式來測(cè)試功能缺陷。晶圓測(cè)試由稱為晶圓探針器的測(cè)試設(shè)備執(zhí)行。晶圓測(cè)試過程可以通過多種方式進(jìn)行引用:晶圓測(cè)試 (WFT)、電子芯片分類 (EDS) 和電路探針 (CP) 都是較為常見的。
 
  晶圓檢測(cè)的作用是確保在芯片封裝前,盡可能地把無效芯片篩選出來以節(jié)約封裝費(fèi)用。晶圓檢測(cè)(CP)發(fā)生于晶圓完成后、進(jìn)行封裝前, 主要流程如下:
 
  (1)晶圓探針臺(tái)將晶圓逐片自動(dòng)傳送至測(cè)試位置,芯片的 Pad 點(diǎn)通過探針、專用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接;
 
  (2) ATE測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào), 判斷芯片功能和性能在不同工作條件下是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求;
 
  (3)測(cè)試結(jié)果通過通信接口傳送給探針臺(tái),據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記,形成晶圓的 Map 圖。
 

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