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干法刻蝕與濕法刻蝕

2025-3-21  閱讀(173)

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在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。


干法刻蝕,是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體,通過(guò)經(jīng)光刻而開(kāi)出的掩蔽層窗口,與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng),刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)在于,可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,要求微細(xì)化加工工藝能夠嚴(yán)格的控制加工尺寸,要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸,都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì),給生產(chǎn)帶來(lái)無(wú)法彌補(bǔ)的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn),己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法。在特征圖形的制作上,已基本取代了濕法腐蝕技術(shù)。


對(duì)于濕法腐蝕,就是用液體化學(xué)試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學(xué)的方式去除硅片表面的材料。當(dāng)然,在通過(guò)濕法腐蝕獲得特征圖形時(shí),也要通過(guò)經(jīng)光刻開(kāi)出的掩膜層窗口,腐蝕掉露出的表面材料。但從控制圖形形狀和尺寸的準(zhǔn)確性角度而言,在形成特征圖形方面,濕法 腐蝕一般只被用于尺寸較大的情況(大于3微米)。由于這一特點(diǎn),濕法腐蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有干法刻蝕的應(yīng)用廣泛。但由于它的高選擇比和批量制作模式,濕法腐蝕仍被廣泛應(yīng)用在腐蝕層間膜、去除干法刻蝕殘留物和顆粒等工藝步驟中。


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