保持與以往高畫質(zhì)的3D-CT數(shù)據(jù)（3D圖像）的拍攝一樣，通過高度優(yōu)化用于拍攝的硬件控制，實現(xiàn)了以往比1.5倍的高速拍攝。由此，保持了以往同等的生產(chǎn)性，可以高精度的全數(shù)檢查。

在硬件控制的高度優(yōu)化方面，集合了歐姆龍的控制機器所擁有的技術(shù)訣竅，實現(xiàn)了高速無縫的連續(xù)拍攝，同時通過反饋控制實現(xiàn)了更準(zhǔn)確的位置拍攝。通過這些技術(shù)，實現(xiàn)了清晰的3D-CT圖像（3D圖像）的拍攝。并且，在3D CT數(shù)據(jù)（3D圖像）的生成時，通過本公司開發(fā)的新的3D-CT算法的搭載和高靈敏度高速探測器的采用，可以生成噪點較少的3D圖像。

【與以往設(shè)備的檢查速度的比較】

新追加了對IGBT和MOSFET*5等功率類元件優(yōu)化的檢查邏輯。另外，在基板貼裝后的組裝工程中的通孔連接器的焊錫填充檢查，近幾年采用量增加的SiP/PoP封裝*6和PressFit連接器等的檢查也有很多應(yīng)用實績。

特別是在功率類元件方面，功率半導(dǎo)體正在從Si向SiC和GaN*7變化中，散熱的課題越來越重要。對于作為EV課題的1次充電中的行駛距離的延長、高輸出化、小型?輕量化，散熱的課題不能避開。歐姆龍對散熱課題之一的焊錫焊接中的氣泡檢查，開發(fā)出并搭載了獨自的檢查算法。

【GaN功率元件（左）和 SiP（右）的３D-CT拍攝事例】

根據(jù)檢查對象物、元件、以及背面搭載的元件的影響等，需要優(yōu)化X射線拍攝條件。這些拍攝條件的設(shè)定有幾個參數(shù)，以前是一邊反復(fù)輸入&嘗試，一邊設(shè)定拍攝條件。這些設(shè)定已經(jīng)可以通過AI自動設(shè)定，因此可以大幅縮短拍攝條件的設(shè)定。

另外，使用VT-X750-V3拍攝的3D-CT數(shù)據(jù)（3D圖像）進(jìn)行檢查時，需要3D圖像處理技術(shù)。通過事先登錄3D圖像處理的設(shè)定，在生產(chǎn)現(xiàn)場進(jìn)行自動檢查。

3D圖像處理的設(shè)定需要專業(yè)技能，這次通過自動化其中一部分，可以不依賴專業(yè)技能，縮短設(shè)定時間。

防止對作業(yè)者的輻射自不必說，降低對檢查工裝上的半導(dǎo)體元件等的輻射造成的故障風(fēng)險是大的課題。這次，追加了根據(jù)基板的正反面和搭載的位置等可以更準(zhǔn)確地模擬每個元件的輻射量的功能。

由此，通過對照每個元件的被輻射量的界限值，可以降低因被輻射而引起的元件故障的風(fēng)險。

【每個元件的輻射模擬】

*4　M尺寸基板的全面檢查的時間?；宓陌崛?搬出時間除外。包含2,000～3,000Pin的BGA 2個和SiP， 基板的正面、反面的全部元件的3D檢查需要的時間。

*5　IGBT和MOSFET：功率類產(chǎn)品是使用電池中儲存的電來驅(qū)動馬達(dá)等所需的部件，是將電池等直流電轉(zhuǎn)換成馬達(dá)驅(qū)動所需交流的部件。特別是近年來，汽車、鐵路等電動化的重要部件之一。家用家電產(chǎn)品中，插座交流電可以直接用于馬達(dá)等的驅(qū)動，而電動汽車和PHEV則是以電池為驅(qū)動源，需要從直流轉(zhuǎn)換為交流。IGBT和MOSFET是功率類產(chǎn)品中的一種代表，根據(jù)用途不同使用也不一樣。

*6　SiP/PoP封裝：SiP=System in Package、PoP=Package on Package的簡稱。這兩個都是貼裝在基板上的元件名稱，以往的IC/LSI元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是單層，但是SiP和PoP等內(nèi)部結(jié)構(gòu)是多層，結(jié)構(gòu)復(fù)雜。由于構(gòu)造復(fù)雜，使用X射線檢查時更需要3D檢查。另外，SiP多用作車聯(lián)或智能手機終端等5G通信用元件， PoP經(jīng)常被用作智能手機的應(yīng)用程序處理器（主CPU）。

*7　SiC和GaN：傳統(tǒng)的半導(dǎo)體元件中，包括功率元件在內(nèi)，Si（硅）是主流。針對功率元件，電容的大容量化和高壓/高電流化，耐熱溫度成為課題。SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）比Si的耐熱性更好，被期待作為下一代的功率半導(dǎo)體元件。