欧美国产日韩在线免费观看-欧美日韩成人激情一区二区-欧美久久综合一区二区-亚洲av寂寞少妇久久

產(chǎn)品推薦:氣相|液相|光譜|質(zhì)譜|電化學|元素分析|水分測定儀|樣品前處理|試驗機|培養(yǎng)箱


化工儀器網(wǎng)>技術中心>其他文章>正文

歡迎聯(lián)系我

有什么可以幫您? 在線咨詢

應用 | 銀漿潤濕性對芯片鍵合性能的影響

來源:東南科儀   2023年02月06日 10:28  
研究背景

1.jpg


在半導體行業(yè),銀漿是制作銀電極的漿料,由高純度的(99.9% )金屬銀的微粒、粘合劑、溶劑、助劑所組成,比較粘稠狀。用于把芯片鍵合到基材上,它不僅幫助固定芯片,而且?guī)椭鷾p少芯片因封裝產(chǎn)生的內(nèi)應力和變形,進而保護芯片。近年來,隨著芯片向著最小化和最薄化發(fā)展,需要銀漿有更高的強度與可靠性?,F(xiàn)有商品化銀漿存在粘合力不足、在界面處分布不均等問題,無法滿足產(chǎn)品質(zhì)量的需要。


本文對比研究了商品化銀漿體系和新銀漿體系的潤濕性對芯片鍵合性能的影響。


材料與方法


銀漿:新型銀漿體系(記為 B),其與銀漿A體系的區(qū)別在于粘合促進劑的不同。

基底:環(huán)氧玻纖基材。

采用德國 KRüSS 公司的 DSA100 測量銀漿與基材的接觸角。


2.jpg


DSA100接觸角測試儀



結果與討論


銀漿B在基材上的接觸角低于銀漿A,表明銀漿B的浸潤性良好,有利于在基板和芯片中間產(chǎn)生連續(xù)的銀漿層。


3.png
圖1,銀漿 A(左)和銀漿 B(右)與基材的接觸角


而剖面形貌分析也證實銀漿 B在芯片表面形成了連續(xù)的銀漿鍵合層。對銀漿A的芯片鍵合層剖面進行觀察,發(fā)現(xiàn)銀漿A的鍵合層存在空洞,證明銀漿在點膠過程中沒有wan全浸潤基材的表面,使空氣封閉在鍵合層中。而空氣在銀漿固化的過程中受熱膨脹,不僅減小了界面處的銀漿結合面積,減弱了鍵合強度,而且也導致了過高的鍵合層厚度。


4.png


圖2,銀漿 B 鍵合層剖面的 SEM 照片


5.png


圖3,銀漿 A 鍵合層剖面的 SEM 照片





總結


可看出減少銀漿層的空洞是提高芯片鍵合強度的一種有效方法。合適的粘合促進劑可以幫助增加銀漿在基材表面的浸潤并減少界面銀漿層里的空洞。





參考文獻:

本文有刪減,詳細信息請參考原文。

堵美軍,梁國正.高芯片鍵合質(zhì)量與高生產(chǎn)率的新型銀漿體系的研究[J].中國集成電路,2021,1-2(260-261): 63-69.


免責聲明

  • 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內(nèi)使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
  • 本網(wǎng)轉載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
  • 如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
企業(yè)未開通此功能
詳詢客服 : 0571-87858618