研究成就與看點(diǎn)
這篇研究是由沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué) (KAUST) 的 Stefaan De Wolf 教授與美國西北大學(xué)Edward H. Sargent教授團(tuán)隊連手,發(fā)表于期刊 Advanced Energy Materials。論文題目為”Efficient Narrow Bandgap Pb‐Sn Perovskite Solar Cells Through Self‐Assembled Hole Transport Layer with Ionic Head”。
針對窄能隙鉛錫 (Pb-Sn) 鈣鈦礦太陽能電池中,常用電洞傳輸層 PEDOT:PSS 與鈣鈦礦埋藏接口之間,因聚苯乙烯磺酸鹽 (PSS) 與 Sn2+ 反應(yīng)而導(dǎo)致的性能問題,提出創(chuàng)新方法合成一種新型的咔唑基自組裝單分子層 (SAM),名為 BrNH3-4PACz。此 SAM 具有雙重功能:咔唑基團(tuán)附著的烷基膦酸錨定基團(tuán)在氧化銦錫 (ITO) 電極表面提供合適的偶極矩,以實(shí)現(xiàn)有效的電洞提取;離子性的銨溴化物端基則鈍化鈣鈦礦底部表面并調(diào)節(jié)其結(jié)晶。
研究重要成果包括
•電池性能: 使用 BrNH3-4PACz 作為電洞傳輸層的 p-i-n 結(jié)構(gòu)窄能隙 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池,實(shí)現(xiàn)了 23.0% 的最高功率轉(zhuǎn)換效率 (PCE) 和 0.88 V 的開路電壓 (VOC),這在文獻(xiàn)報導(dǎo)中屬于最高值之一。
•顯著的性能提升與低遲滯: 相較于常用的 2PACz 和 MeO-2PACz SAM,使用 BrNH3-4PACz 的組件展現(xiàn)出顯著更高的 VOC、短路電流密度 (JSC) 和填充因子 (FF),且遲滯現(xiàn)象更小。
•更快的電荷轉(zhuǎn)移速率: 瞬態(tài)吸收光譜測量顯示,BrNH3-4PACz 具有更快的電荷轉(zhuǎn)移速率。
•強(qiáng)相互作用與缺陷鈍化: 第一原理計算 (DFT) 模擬表明,BrNH3+-4PACz 與鈣鈦礦表面具有更強(qiáng)的相互作用,并能有效鈍化晶格缺陷。此研究成功解決了窄能隙 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池中,由于傳統(tǒng)電洞傳輸層 PEDOT:PSS 引起的接口問題,透過創(chuàng)新的雙功能自組裝單分子層,顯著提升了電池的性能。
研究團(tuán)隊
這篇研究的通訊作者為沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué) (KAUST) 的 Stefaan De Wolf 教授,參與這篇研究的學(xué)校主要有:
l 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)(KAUST)
l 美國西北大學(xué) (Northwestern University)
l 立陶宛考納斯理工大學(xué) (Kaunas University of Technology)
研究背景
單接面鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)效率已達(dá)26.1%,接近理論極限,因此開發(fā)疊層太陽能電池成為突破效能限制的關(guān)鍵。窄能隙鉛錫(Pb-Sn)鈣鈦礦(能隙1.21-1.25 eV)是理想的底層光吸收材料,但其性能仍受限于界面問題。
盡管研究者已著重于塊體工程和表面處理,Pb-Sn鈣鈦礦與電洞傳輸層(HTL)的埋藏接口卻常被忽視。目前常用的PEDOT雖能量對準(zhǔn)良好,但其PSS成分會氧化Sn2+成Sn4+,并與Au和Ag等金屬產(chǎn)生不良反應(yīng),降低組件性能。
咔唑基自組裝單分子層(SAMs)在純鉛PSCs中表現(xiàn)良好,能提高透明導(dǎo)電氧化物電極的功函數(shù),促進(jìn)電洞提取。然而在窄能隙PSCs中,ITO/SAM結(jié)構(gòu)的VBM(-5.4至-5.9 eV)較深,難以與Pb-Sn鈣鈦礦的淺VBM(-5.1至-5.3 eV)達(dá)成良好對準(zhǔn),且常需額外表面活性劑處理。
因此,設(shè)計新型多功能SAM分子以解決窄能隙Pb-Sn鈣鈦礦太陽能電池中HTL問題成為當(dāng)前研究的迫切需求,旨在克服現(xiàn)有HTL局限性,提升電池整體效能。
解決方案
研究團(tuán)隊設(shè)計并合成了一種新型的咔唑基自組裝單分子層 (SAM) 分子,名為 BrNH3-4PACz。這個分子的雙重功能,旨在克服傳統(tǒng)電洞傳輸層 (HTL) 在窄能隙 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池應(yīng)用中的限制。
雙功能設(shè)計:
?咔唑基頭部與烷基膦酸錨定基團(tuán)的結(jié)合,可以在氧化銦錫 (ITO) 電極表面提供合適的偶極矩,實(shí)現(xiàn)與窄能隙鈣鈦礦的理想能帶對準(zhǔn),從而促進(jìn)有效的電洞提取。
?離子性的溴化銨 (ammonium bromide) 基團(tuán)位于咔唑頭部,能夠鈍化鈣鈦礦的底面并調(diào)節(jié)其結(jié)晶。
解決方案的關(guān)鍵機(jī)制:
?優(yōu)化能量對準(zhǔn): BrNH3-4PACz 使得 ITO 電極的功函數(shù)與 Pb-Sn 鈣鈦礦的價帶頂部 (VBM) 更好地對準(zhǔn),相較于傳統(tǒng)的 2PACz 和 MeO-2PACz,其能帶偏移更小,有助于提升電洞提取效率。
?鈍化界面缺陷: 溴化銨基團(tuán)可以離解成銨離子 (-NH3+) 和溴離子 (Br-),鈍化鈣鈦礦晶格中的 A 位陽離子缺陷和碘陰離子缺陷,減少非輻射復(fù)合損失,從而提升開路電壓 (VOC)。
?改善結(jié)晶動力學(xué): 離子性基團(tuán)有助于調(diào)節(jié)鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過程,減少晶界和體積缺陷密度,進(jìn)而提升短路電流密度 (JSC) 和整體電池性能。
實(shí)驗過程與步驟
•BrNH3-4PACz 的合成:合成新型的咔唑基 SAM 分子 BrNH3-4PACz。
•鈣鈦礦前驅(qū)物溶液的制備: 在氮?dú)獗Wo(hù)的手套箱中,混合了碘化銫 (CsI)、碘化甲脒 (FAI)、碘化甲胺 (MAI)、碘化鉛 (PbI2)、碘化錫 (SnI2)、氟化錫 (SnF2)、硫氰酸胍 (GuaSCN) 和溴化 4-氟苯乙銨 (4F-PEABr) 于無水 DMF 和 DMSO 的混合溶劑中,制備了 Cs0.05FA0.70MA0.25Sn0.50Pb0.50I3 鈣鈦礦前驅(qū)物溶液,并在黑暗中劇烈攪拌 2 小時后,使用 0.20 µm PTFE 濾器過濾備用。
•鈣鈦礦薄膜的制備:
?將 ITO 基板經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)清潔流程和 UV-O3 處理。
?通過在 3000 rpm 下旋涂 35 秒,將 1 mM 濃度的 SAM 溶液(BrNH3-4PACz 使用甲醇/乙醇 (1:1 v/v) 混合溶劑,2PACz 和 MeO-2PACz 使用乙醇)錨定在 ITO 基板上。
?之后在 100°C 下退火 10 分鐘。
?在氮?dú)獗Wo(hù)的手套箱中,將鈣鈦礦前驅(qū)物溶液以 1000 rpm 旋涂 10 秒,然后以 4000 rpm 旋涂 40 秒 到 SAM 修飾的 ITO 基板上。
?在第二步旋涂結(jié)束前 20 秒進(jìn)行反溶劑淬滅。
?基板立即轉(zhuǎn)移到加熱板上,在 100°C 下退火 10 分鐘。
?部分薄膜通過旋涂 1,2-二氨基乙烷的氯苯溶液進(jìn)行后處理鈍化,然后在 100°C 下退火 5 分鐘。
•太陽能電池組件的制備: 制備了倒置 p-i-n 結(jié)構(gòu)的單接面太陽能電池,結(jié)構(gòu)為 玻璃/ITO/SAM/Cs0.05FA0.70MA0.25Pb0.5Sn0.5I3/EDA/C60/BCP/Ag。在鈣鈦礦薄膜上旋涂乙二胺 (EDA) 溶液作為鈍化層。通過熱蒸鍍沉積 C60 (電子傳輸層) 和 BCP (緩沖層)。最后,通過熱蒸鍍沉積銀 (Ag) 電極。
研究成果與表征
準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂 (QFLS) 光譜量測
QFLS 與太陽能電池的開路電壓 VOC 的理論極限相關(guān),是評估光吸收層質(zhì)量和非輻射復(fù)合損失的重要指標(biāo)。更高的 QFLS 通常意味著更少的能量損失和更高的 VOC 潛力。
圖 3d-f: 分別展示了在 ITO/2PACz、ITO/MeO-2PACz 和 ITO/BrNH3-4PACz 基板上制備的窄能隙鈣鈦礦薄膜的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂 (QFLS) 成像圖。顏色深淺代表 QFLS 的大小。
圖 3g: 展示了對圖 3d-f 中 QFLS 分布數(shù)據(jù)的直方圖分析,更清晰地顯示了不同 SAMs 對 QFLS 值的影響。
結(jié)果顯示,使用 BrNH3-4PACz 的鈣鈦礦薄膜展現(xiàn)出比使用其他 SAMs 的薄膜高出超過 60 mV 的 QFLS 增強(qiáng)。這表明 BrNH3-4PACz 的雙重功能——優(yōu)化能量對準(zhǔn)和鈍化 HTL/鈣鈦礦埋藏界面——有效地減少了能量損失,這與器件性能的提升相符。
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電流密度-電壓 (J-V) 曲線量測
評估太陽能電池組件的光伏性能,J-V 曲線的形狀也能反映組件的電荷傳輸和復(fù)合情況,例如是否存在遲滯現(xiàn)象。
圖 2c 展示了使用不同 SAMs 的最佳組件在正向和反向掃描下的 J-V 曲線。
圖 2e-h 以箱線圖的形式展示了使用不同 ITO/SAM HTLs 制備的窄能隙 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池的 VOC、JSC、FF 和 PCE 的統(tǒng)計分布。
結(jié)果顯示,使用 BrNH3-4PACz 作為 HTL 的組件展現(xiàn)出顯著更高的 VOC (平均 0.88 V)、JSC 和 FF (80%),且數(shù)據(jù)偏差更小,相較于使用 2PACz (VOC 約 0.80 V,FF 約 70%) 和 MeO-2PACz (VOC 約 0.79 V,FF 約 61%) 的組件。最佳的 BrNH3-4PACz 組件取得了 23.0% 的 PCE,VOC 為 0.88 V,JSC 為 32.2 mA cm?2,FF 為 81.9%。
使用 2PACz 和 MeO-2PACz 的組件的 J-V 曲線表現(xiàn)出明顯的遲滯現(xiàn)象,這表明電荷在 HTL/鈣鈦礦界面存在不平衡和累積。而 BrNH3-4PACz 組件的遲滯現(xiàn)象則明顯減輕,顯示出優(yōu)異的電荷提取特性。表 S3 進(jìn)一步總結(jié)了最佳組件的光伏參數(shù)。
外量子效率 (EQE) 量測
測量太陽能電池在不同波長光照下的光譜響應(yīng),反映電池對不同波長光子的收集效率。
圖 2d 顯示了使用不同 SAMs 的窄能隙太陽能電池的 EQE 光譜。使用 BrNH3-4PACz 的組件在整個可見光和近紅外波長范圍內(nèi)都表現(xiàn)出更高的光譜響應(yīng),這與其較高的 JSC 相一致。通過積分 EQE 曲線得到的 JSC 值與 J-V 測量結(jié)果相符,進(jìn)一步證實(shí)了 BrNH3-4PACz 有效提升了電荷收集效率。
其他表征
X 射線光電子能譜 (XPS)
分析 ITO/SAM 表面的元素組成和化學(xué)態(tài),驗證 SAM 分子的成功錨定以及 BrNH3 頭基的完整性。(圖 S1b、圖 1b-d、表 S2、圖 S7c)
紫外光電子能譜 (UPS):
測定 ITO/SAM 和鈣鈦礦的功函數(shù) (WF) 和價帶頂部 (VBM),從而分析界面能級排列情況,判斷電荷注入和提取的勢壘大小。(圖 1i )
原子力顯微鏡 (AFM):
觀察 ITO/SAM 薄膜的表面形貌,測量其粗糙度,以評估 SAM 層的覆蓋均勻性。(圖 S3a-c)
開爾文探針力顯微鏡 (KPFM):
測量 ITO/SAM 表面的表面電勢和功函數(shù)分布,進(jìn)一步驗證 SAM 分子對 ITO 功函數(shù)的調(diào)制效果。(圖 1e,f 和 S3d-f)
瞬態(tài)吸收 (TA) 光譜:
研究窄能隙鈣鈦礦中激發(fā)電荷載流子的動力學(xué)過程,包括電荷轉(zhuǎn)移速率和載流子壽命,從而理解不同 SAMs 對電洞提取效率的影響。(圖S10、圖 3a 和 S11-S12、圖 3b,c 和 S12,表 S5)
空間電荷限制電流 (SCLC) 量測:
通過分析電洞專用器件在黑暗條件下的電流-電壓特性,確定陷阱填充極限電壓 (VTFL),從而評估鈣鈦礦薄膜中的陷阱密度。較低的 VTFL 對應(yīng)于較低的陷阱密度。(圖 S9b)
密度泛函理論 (DFT) 模擬:
從原子層面研究 ITO/SAM/鈣鈦礦界面的缺陷情況,以及引入離子銨基團(tuán)對界面相互作用和電子結(jié)構(gòu)的影響。(圖 4 和 S14,表 S6)
X 射線繞射 (XRD):
分析在不同 ITO/SAM 層上制備的鈣鈦礦薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)晶度。(圖 S6a,b)
掃描電子顯微鏡 (SEM):
觀察在不同 ITO/SAM 層上生長的鈣鈦礦薄膜的表面形貌和晶粒尺寸。(圖 S5)
結(jié)論
研究團(tuán)隊成功設(shè)計并合成了一種全新的咔唑基自組裝單分子層 BrNH3-4PACz,并展現(xiàn)了優(yōu)異的性能。這種分子具備雙重功能:咔唑頭基能穩(wěn)固地附著于氧化銦錫(ITO)電極表面,透過合適的偶極矩來優(yōu)化與窄能隙鈣鈦礦的能級對準(zhǔn),同時提升電洞提取效率。此外,頭基上的離子性溴化銨部分還能有效鈍化鈣鈦礦底表面并調(diào)控其結(jié)晶過程,進(jìn)一步改善材料質(zhì)量。
透過這種精心設(shè)計的分子結(jié)構(gòu),成功制備了 p-i-n 架構(gòu)的窄能隙 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池,其能隙為 1.24 eV。實(shí)驗結(jié)果顯示,以 BrNH3-4PACz 作為電洞傳輸層的組件表現(xiàn)出色,最佳電池的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)高達(dá) 23.0%,并實(shí)現(xiàn)了 0.88 V 的開路電壓(VOC)及 81.9% 的填充因子(FF)。
相較于使用傳統(tǒng) SAM(如 2PACz 和 MeO-2PACz)的組件,BrNH3-4PACz 使組件的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂(QFLS)提升了超過 60 mV,這與更低的 VOC 損耗和更高的器件性能相吻合。觀察結(jié)果顯示,最終的 VOC 損失僅為 370 mV,處于目前的 Pb-Sn 鈣鈦礦太陽能電池之列。
密度泛函理論(DFT)模擬進(jìn)一步證實(shí),BrNH3-4PACz 中的離子性銨基部分有助于鈍化界面缺陷,進(jìn)一步降低非輻射復(fù)合損失。整體而言,本研究設(shè)計的 BrNH3-4PACz 自組裝單分子層能夠有效調(diào)控 ITO/HTL/鈣鈦礦界面,顯著提升電池效率與電壓。
文獻(xiàn)參考自Advanced Energy Materials_DOI: 10.1002/aenm.202404617
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