![]() |
非接觸式半絕緣方阻測(cè)量技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導(dǎo)電性測(cè)試、薄膜導(dǎo)電性測(cè)量、電路板測(cè)試等。它具有測(cè)量快速、精度高、不損傷被測(cè)物體等優(yōu)點(diǎn)、
非接觸半絕緣方阻電阻率、霍爾遷移率非接觸式測(cè)量技術(shù) 我們專注于半導(dǎo)體量測(cè)分析設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和服務(wù)。l攻克關(guān)鍵核心技術(shù),為晶圓、晶錠、硅材料、碳化硅等材料的生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控。它可以通過電腦進(jìn)行控制,編輯測(cè)試需要測(cè)試的硅片大小,測(cè)試點(diǎn)位數(shù)量,運(yùn)用渦電流非接觸式的量測(cè)原理進(jìn)行測(cè)量,可以通過軟件輸出2D/3D Mapping圖,更高效的完成測(cè)量任務(wù)。 特點(diǎn) 多點(diǎn)測(cè)試和圖譜顯示功能; 寬范圍和高精度測(cè)試能力; 標(biāo)配2inch到8inch的測(cè)試能力; 軟件提供數(shù)據(jù)表功能,可以提供SPC統(tǒng)計(jì),有,最小,平均值和標(biāo)準(zhǔn)方差值; 精密簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì),比前代設(shè)備體積大大縮小,測(cè)試能力卻成倍提升 軟件內(nèi)置校正功能 規(guī)格 標(biāo)準(zhǔn)電阻率測(cè)試范圍: 0.0~ 3200 ohm/sq 高阻測(cè)試范圍: 0.0~10k ohm/sq 超高阻測(cè)試范圍: 0.0~ 100k ohm/sq 探頭直徑:14mm 測(cè)試點(diǎn)數(shù): 標(biāo)準(zhǔn)配置217點(diǎn), 可選999點(diǎn)。
九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
- 非接觸霍爾遷移率
- 硅片厚度TTV測(cè)試儀
- 金剛石厚度TTV測(cè)試儀
- 晶圓厚度TTV測(cè)試儀
- 日本MUSASHI武藏點(diǎn)膠機(jī)SIGMA-CM4-CTR-V
- WD4000晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)
- SUPEC 2050 半導(dǎo)體AMC綜合監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
- HMS-7000-光霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
- HMS-5300-全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
- HMS-3000-霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
- HMS-5000-變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
- 英特格拉IB0810M210射頻功率晶體管