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晶圓單片清洗機(jī)

參考價(jià) 10000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
  • 品牌 芯矽科技
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地 工業(yè)園區(qū)江浦路41號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/5/6 14:43:51
  • 訪問次數(shù) 39

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芯矽科技是一家專注半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造公司,主要提供實(shí)驗(yàn)室研發(fā)級到全自動(dòng)量產(chǎn)級槽式清洗機(jī),單片清洗機(jī),高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程,公司核心產(chǎn)品12寸全自動(dòng)晶圓化學(xué)鍍設(shè)備,12寸全自動(dòng)爐管/ Boat /石英清洗機(jī)已占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位,已經(jīng)成功取得長江存儲(chǔ),中芯國際,重慶華潤,上海華虹,上海積塔,上海格科,廣東粵芯,青島芯恩,廈門士蘭,南通捷捷,湖南楚微等主流8寸12寸Fab產(chǎn)線訂單,我們致力于為合作伙伴提供適合你的解決方案。


導(dǎo)體濕法設(shè)備

非標(biāo)定制 根據(jù)客戶需求定制

晶圓單片清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于單片晶圓表面清潔的關(guān)鍵設(shè)備,通過化學(xué)與物理結(jié)合的方式,去除顆粒、金屬殘留及氧化物,確保芯片性能與良率。以下是其詳細(xì)介紹:

一、核心功能與技術(shù)原理

主要用途

用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、光刻膠殘留等),保障后續(xù)工藝(光刻、蝕刻、沉積)的精度和可靠性。

適用制程(如28nm以下)、MEMS器件、CMP后處理等場景。

技術(shù)原理

兆聲波清洗:高頻(1-3MHz)聲波產(chǎn)生空化效應(yīng),剝離微小顆粒(<0.1μm),避免機(jī)械損傷。

超聲波清洗:低頻(40kHz)振動(dòng)增強(qiáng)污染物脫離,但可能對精密結(jié)構(gòu)造成應(yīng)力。

刷洗:軟質(zhì)刷輪(如PVA材料)配合旋轉(zhuǎn)晶圓,清除頑固殘留,壓力控制需精確(50-200g/cm2)。

化學(xué)清洗:通過酸性/堿性溶液(如SC-1、SC-2、DHF)與污染物反應(yīng),生成可溶物質(zhì)后沖洗干凈。例如,SC-1(NH?OH + H?O?)去有機(jī)物,SC-2(HCl + H?O?)去金屬殘留。

物理輔助:

流體動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì):噴淋臂或浸沒式清洗,結(jié)合CFD仿真優(yōu)化流速與覆蓋均勻性,減少邊緣效應(yīng)。

二、設(shè)備結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵組件

清洗槽與流體系統(tǒng)

槽體采用耐腐蝕材料(PFA、PTFE、石英),支持酸槽、水槽、干燥槽模塊化組合。

噴淋臂或超聲波發(fā)生器均勻分配清洗液,部分設(shè)備支持化學(xué)試劑滴膠系統(tǒng)(如NANO-MASTER SWC-3000),精準(zhǔn)控制用量。

溫控與監(jiān)測系統(tǒng)

溫度控制精度±0.5℃(如SC-2工藝需70-80℃),通過PID控制器調(diào)節(jié)加熱或冷卻。

在線監(jiān)測參數(shù)包括pH、電導(dǎo)率、液體流速、顆粒濃度(激光散射傳感器),實(shí)時(shí)反饋至PLC系統(tǒng)。

機(jī)械傳輸與干燥模塊

旋干法(高速旋轉(zhuǎn)甩干,3000-10000rpm);

IPA蒸干(異丙醇置換水分后氣吹);

氮?dú)獯祾撸∟? Blow)防止水痕殘留。

晶圓承載臺(tái):真空吸附或陶瓷夾持,避免劃傷,支持200mm、300mm、450mm晶圓。

干燥技術(shù):

智能化與環(huán)保設(shè)計(jì)

自動(dòng)化控制:觸摸屏HMI設(shè)置參數(shù),支持配方存儲(chǔ)、故障報(bào)警及數(shù)據(jù)追溯(如每片晶圓清洗記錄)。

廢液處理:酸堿中和裝置、廢氣吸附系統(tǒng)(活性炭過濾VOCs),部分設(shè)備支持廢液回收(如HF分離處理)。

三、技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用場景

高均勻性與低損傷

兆聲波能量均勻分布,避免局部過蝕或劃痕,適用于帶圖案晶圓(如3D NAND)。

軟毛刷或非接觸式傳輸(氣浮承載臺(tái))進(jìn)一步減少機(jī)械應(yīng)力。

高效與定制化

單片處理周期短(3-5分鐘),支持“干進(jìn)干出”一步工藝,節(jié)省DI水與化學(xué)液。

模塊化設(shè)計(jì)兼容多種工藝(RCA、DHF、SPM),可升級晶圓尺寸(如從200mm擴(kuò)展到300mm)。

典型應(yīng)用

制程:28nm以下節(jié)點(diǎn)的原子級清潔,需兆聲波+化學(xué)滴膠聯(lián)合處理。

CMP后清洗:去除拋光液殘留,避免劃傷與顆粒二次污染。

掩模版清洗:支持帶保護(hù)膜的掩模版(如極紫外EUV掩模),無損干燥。

光伏與光學(xué):硅片制絨、ITO玻璃清洗等場景。

四、挑戰(zhàn)與未來趨勢

當(dāng)前挑戰(zhàn)

顆粒二次污染:需優(yōu)化過濾器(UF/UF+)與槽體光滑度2。

邊緣清洗難題:通過調(diào)整噴淋角度或邊緣刷壓解決流體動(dòng)力學(xué)導(dǎo)致的污染物堆積。

技術(shù)趨勢

AI動(dòng)優(yōu)化:機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測參數(shù)(如濃度、溫度組合),提升效率與良率。

新型清洗技術(shù):激光清洗(脈沖激光分解污染物)、等離子體輔助濕法清洗。

環(huán)保節(jié)能:化學(xué)液回收技術(shù)(離子交換樹脂)、低能耗干燥方案(如Marangoni效應(yīng))。

晶圓單片清洗機(jī)

晶圓單片清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造的核心工藝設(shè)備,其性能直接影響芯片良率與可靠性。未來發(fā)展方向?qū)⒕劢怪悄芑⒃蛹壡鍧嵓夹g(shù)及環(huán)保設(shè)計(jì),以適配更小制程(如3nm以下)和新興材料(如碳化硅、鈣鈦礦)的需求。



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