Purity:>99.995%
純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體
參考價(jià) | ¥ 9950 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 上?;偕锟萍加邢薰?/a>
- 品牌 先豐納米
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/23 14:49:57
- 訪問(wèn)次數(shù) 42
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供貨周期 | 一個(gè)月 | 規(guī)格 | 盒 |
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貨號(hào) | 101269 |
產(chǎn)品名稱
中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硒化鎵晶體
英文名稱:HQ graphene 2H phase Gallium Selenide
產(chǎn)品概述
GaSe (2H相)是一種間接帶隙為~2.1 eV的半導(dǎo)體。GaSe已被用作半導(dǎo)體、光導(dǎo)體、非線性光學(xué)中的二次諧波產(chǎn)生晶體和遠(yuǎn)紅外轉(zhuǎn)換材料。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。GaSe屬于13族過(guò)渡后金屬單硫族化合物。硒化鎵的2H相具有典型的橫向尺寸為~0.6 ~ 0.8 cm,具有深銅金屬外觀。
GaSe (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.1 eV. GaSe has been used as a semiconductor, photoconductor, a second harmonic generation crystal in nonlinear optics and as a far-infrared conversion material. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. GaSe belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.
The 2H phase of Gallium Selenide has a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and has a dark-copper metallic appearance.
技術(shù)參數(shù)
純度: 99.995%
尺寸:0.6 ~ 0.8 cm
顏色: 棕色
產(chǎn)品特點(diǎn)
Electrical properties:Semiconductor
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
Type:Synthetic
應(yīng)用領(lǐng)域
在光電領(lǐng)域:
太陽(yáng)能電池:硒化鎵晶體具有合適的能帶結(jié)構(gòu)和較高的光吸收系數(shù),可用于制造高效的太陽(yáng)能電池。例如,在多結(jié)太陽(yáng)能電池中,硒化鎵可以作為其中的一個(gè)子電池,吸收特定波長(zhǎng)的太陽(yáng)光,從而提高整個(gè)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
光電探測(cè)器:能夠?qū)μ囟úㄩL(zhǎng)的光產(chǎn)生響應(yīng),可用于制造高性能的光電探測(cè)器。比如在紅外光電探測(cè)器中,硒化鎵晶體可以檢測(cè)到紅外光信號(hào),并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域:
半導(dǎo)體器件:可用于制造各種半導(dǎo)體器件,如晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等。例如,在高頻和高速電子器件中,硒化鎵晶體的優(yōu)良電學(xué)性能有助于提高器件的工作頻率和速度。
在光學(xué)領(lǐng)域:
非線性光學(xué)材料:具有非線性光學(xué)特性,可用于制作倍頻器、光調(diào)制器等非線性光學(xué)器件。比如在激光系統(tǒng)中,硒化鎵晶體可以實(shí)現(xiàn)激光頻率的倍頻。