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北京恒奧德儀器儀表有限公司
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KDK-LT-100C-數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀
  • KDK-LT-100C-數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀/少子壽命測試儀
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貨物所在地:北京北京市

地: 北京恒奧德儀器儀表有限公司

更新時間:2025-05-22 08:38:26

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數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 型號:KDK-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,按照標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                      

      該設(shè)備是按照家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載子壽命測定的頻光電導(dǎo)衰減法”制。頻光電導(dǎo)衰減法在我半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整器件、核探測器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗(yàn),證明是種成熟可靠的測試方法,別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。
 
KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下點(diǎn):
1、 可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載子體壽命。表面拋光,直接對切割面或研磨面行測量。同時可測量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整器、晶體管硅單晶的少子壽命。
2、  可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載子的相對壽命,表面拋光、鈍化。
3、配備用軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng)較強(qiáng),有利于測量低阻太陽能硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測范圍     0.25μS—10ms      

北京恒奧德儀器儀表有限公司
:鵬
: /57196682 /57191006//


 

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