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新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

參   考   價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào):LFZ-2KW

品       牌:其他品牌

廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

所  在  地:北京市

更新時(shí)間:2025-04-10 21:36:11瀏覽次數(shù):2631

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新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

      Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)技術(shù)推向個(gè)全新的高度!


應(yīng)用域

      可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。

激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)勢(shì):


采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻

更加科學(xué)的激光光斑化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的熱應(yīng)力

采用了*的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物


新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):


加熱控制加熱類(lèi)型5束激光
激光功率 2KW、1.5KW兩種規(guī)格可選
熔區(qū)溫度2600℃ ~ 3000℃*
晶體生長(zhǎng)控制      晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)長(zhǎng)度150mm*
晶體生長(zhǎng)大設(shè)計(jì)直徑8mm*
晶體生長(zhǎng)大速度/轉(zhuǎn)速  300mm/hr; 100rpm
樣品腔可施加大壓力10bar
樣品腔氣氛多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配
晶體生長(zhǎng)監(jiān)控高清攝像頭
晶體生長(zhǎng)控制PC控制


*具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件


應(yīng)用案例


采用新代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例:

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Ruby


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Dy2Ti2O7


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

BaTiO3



新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Sr2RuO4


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

SmB6


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Ba2Co2Fe12O22


新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

Y3Fe5O12


* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供


用戶單位

東京大學(xué)

日本國(guó)立材料研究所



新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化

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