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單晶少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀
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更新時(shí)間：2025-05-29 21:00:08

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TR-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。

單晶少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：TR-LT-2

 

TR-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類(lèi)型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
 
   本儀器根據(jù)通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。
技　術(shù)　指　標(biāo) ：
 
 測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
 可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
 配備光源類(lèi)型 波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；
 閃光頻率為：20～30次／秒；
 閃光頻率為：20～30次／秒；
 高頻振蕩源 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
 前置放大器 放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測(cè)量重復(fù)誤差 <±20％
 測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
 儀器消耗功率 <25W
 儀器工作條件 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
 可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器 頻寬0—20MHz；
 電壓靈敏：10mV／cm；

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