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DL19-DT1-220V*3/C-電壓監(jiān)測(cè)儀
  • DL19-DT1-220V*3/C-電壓監(jiān)測(cè)儀
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更新時(shí)間:2025-01-22 21:00:25

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電壓監(jiān)測(cè)儀采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器,工作在12MHz主頻下,工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。

電壓監(jiān)測(cè)儀采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器,工作在12MHz主頻下,工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。

RAM:采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年;采用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),具有寫入、低功耗、斷電保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片:DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路:采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源:AC220V,與路信號(hào)電壓并接。
電源功耗:≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差:≤±1s/24h。
外型尺寸:(l×b×h)160×236×80mm;安裝開孔尺寸:150+1×70+1mm。

采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器,工作在12MHz主頻下,工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。

RAM:采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年;采用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),具有寫入、低功耗、斷電保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片:DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路:采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源:AC220V,與路信號(hào)電壓并接。
電源功耗:≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差:≤±1s/24h。
外型尺寸:(l×b×h)160×236×80mm;安裝開孔尺寸:150+1×70+1mm。

電壓監(jiān)測(cè)儀采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器,工作在12MHz主頻下,工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。

RAM:采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年;采用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),具有寫入、低功耗、斷電保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片:DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路:采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源:AC220V,與路信號(hào)電壓并接。
電源功耗:≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差:≤±1s/24h。
外型尺寸:(l×b×h)160×236×80mm;安裝開孔尺寸:150+1×70+1mm。

采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器,工作在12MHz主頻下,工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。

RAM:采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年;采用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),具有寫入、低功耗、斷電保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片:DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池,斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路:采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源:AC220V,與路信號(hào)電壓并接。
電源功耗:≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差:≤±1s/24h。
外型尺寸:(l×b×h)160×236×80mm;安裝開孔尺寸:150+1×70+1mm。





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