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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> Plasma Source等離子體源

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貨物所在地：國(guó)外

所在地： 美國(guó)

更新時(shí)間：2025-05-15 21:00:07

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在線(xiàn)詢(xún)價(jià)收藏商機(jī)

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產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)

刻蝕系統(tǒng): RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) ICP及DRIE刻蝕系統(tǒng) IBE離子束刻蝕系統(tǒng) RIE-PE刻蝕機(jī)

沉積系統(tǒng): 進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī) TE熱蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) E-Beam電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 磁控濺射系統(tǒng) PECVD等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) PLD脈沖激光沉積

生長(zhǎng)系統(tǒng): MOCVD設(shè)備 ALD原子層沉積系統(tǒng) MOVPE設(shè)備

清洗去膠系統(tǒng): 等離子去膠清洗及灰化系統(tǒng) 單晶圓/掩模版兆聲清洗機(jī) 大基片清洗/去膠/濕法刻蝕 MW微波等離子清洗去膠系統(tǒng) 離子束清洗系統(tǒng) 研發(fā)用等離子去膠機(jī)

熱真空試驗(yàn)系統(tǒng): 熱真空試驗(yàn)箱熱真空環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備空間環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備熱真空系統(tǒng)

核心組件: Platens樣品臺(tái) 等離子體源

檢測(cè)系統(tǒng): 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

量測(cè)系統(tǒng): 接觸角測(cè)量?jī)x 薄膜曲率應(yīng)力測(cè)量?jī)x

晶圓加工設(shè)備: 晶圓劃片機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì)介紹

NANO-MASTER （那諾-馬斯特）可根據(jù)客戶(hù)需求，提供合適的Plasma Source等離子體源，可以是空心陰極等離子源，也可以是感應(yīng)耦合等離子源。等離子源可應(yīng)用于離子輔助鍍膜、等離子聚合、等離子清潔、等離子刻蝕、表面改性以及其他材料科學(xué)的研究等等。

Plasma Source等離子體源

離子源類(lèi)型	特征	應(yīng)用	選項(xiàng)
Plasma Source等離子體源1: NANO-MASTER 淋浴頭等離子體源SH-1000	射頻淋浴頭等離子體源氣體通過(guò)射頻板二級(jí)板將其他氣體引入等離子體水冷卻 zui大600瓦可在0.02托至8托之間操作 8英寸有效區(qū)域 ISO 250法蘭
2: 空心陰極13.56 MHz射頻等離子體源	支持?jǐn)U展功率和氣壓范圍操作高濃度高活性高均勻性等離子體（1011 cm^-3）兼容化學(xué)反應(yīng)和非化學(xué)反應(yīng)氣體等幅波和脈沖電源低污染	等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子聚合等離子清潔等離子刻蝕表面改性	600mm線(xiàn)性等離子源 900mm線(xiàn)性等離子源
3: SLAN（SLot ANtenna）2.45 GHz微波等離子體源	高濃度等離子體壓力范圍在10^-5毫巴到大氣壓兼容化學(xué)反應(yīng)和非化學(xué)反應(yīng)氣體低污染電子回旋共振(ECR)或非電子回旋共振(non-ECR)操作等幅波和脈沖電源	等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子聚合等離子清潔等離子刻蝕表面改性材料科學(xué)	直徑4厘米直徑16厘米直徑67厘米
4: 電感耦合等離子體源ICP-P 200（13.56MHz）	200毫米直徑的平面線(xiàn)圈擴(kuò)展功率范圍在3-1200瓦低能量擴(kuò)散高濃度高活性等離子體低污染等幅波和脈沖電源	等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子聚合等離子清潔等離子刻蝕表面改性