*封裝技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)5nm制程，這也意味著任何細(xì)微的工藝缺陷都將帶來(lái)?yè)p失。

如何高效、無(wú)損、快速的進(jìn)行封裝缺陷檢測(cè)（FA流程）？X射線(xiàn)CT給出的解決方案。

隨著摩爾定律迭代速度放緩，*封裝技術(shù)愈發(fā)成為提升整體性能的發(fā)動(dòng)機(jī)。半導(dǎo)體封裝朝著小型化、多引腳、高集成方向發(fā)展，其中內(nèi)部封裝的工藝*性，成為重要的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)。

集成電路的內(nèi)部封裝與外部封裝

在此背景之下，X射線(xiàn)CT正是最契合行業(yè)需求的檢測(cè)手段，發(fā)揮著越來(lái)越重要作用。

優(yōu)點(diǎn)1：CT無(wú)需破壞樣品 就能獲取內(nèi)部微米級(jí)成像

X射線(xiàn)CT的成像原理使得不需要對(duì)樣品進(jìn)行破壞性處理，就能獲取內(nèi)部的高質(zhì)量三維成像。

這不僅節(jié)省了檢測(cè)成本，更重要的是不會(huì)產(chǎn)生制樣損傷，污染樣品內(nèi)部情況，影響分析結(jié)果。

優(yōu)點(diǎn)2 多種缺陷檢測(cè) 高效率分析

X射線(xiàn)CT可以有效檢測(cè)微型泵空隙、焊料凸點(diǎn)空隙、接縫、微型泵短路、頭枕式、RDL和布線(xiàn)短路、跡線(xiàn)斷裂和電遷移、襯底裂紋、焊料滲出、疲勞裂紋。

X射線(xiàn)CT擁有得天獨(dú)厚的虛擬斷層分析優(yōu)勢(shì)，對(duì)于目前層數(shù)越來(lái)越多的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品而言，每一層的缺陷都不會(huì)錯(cuò)過(guò)。