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M區(qū)支架模體

>>>說明書<<<

1. M區(qū)支架電子線時(shí)雜散輻射的檢測(cè)方法

M區(qū)支架主要測(cè)量機(jī)頭M區(qū)內(nèi)外泄露輻射，支架根據(jù)WS674的方法在不同位置的孔內(nèi)放射熱釋光劑量片來測(cè)量泄漏輻射劑量應(yīng)在模體中測(cè)量，模體各邊比照射野至少大5cm；模體的深度至少比測(cè)量深度大5 cm，入射表面垂直于參考軸，放置在正常治療距離。

在最大照射野下，給出的電子能量分別測(cè)量雜散 X 射線占總吸收劑量的劑量比。

圖A. 1 M區(qū)支架示意圖

A. 1. X 射線照射時(shí)相對(duì)表面劑量檢測(cè)方法

應(yīng)在模體中測(cè)量，模體各邊比照射野至少大5cm；模體的深度至少比測(cè)量深度大5cm，入射表面垂直于參考軸，探測(cè)器放置在正常治療距離。

應(yīng)從輻射束中移開所有不用工具就可取下的輻射束形成裝置，所有均整過濾器應(yīng)留 在其規(guī)定位置上，在最大照射野下，對(duì)表 2 中給出的電子能量分別測(cè)量相對(duì)表面劑量。

A.2. 透過限束裝置的泄漏輻射檢測(cè)方法

A.2. 1. X 射線穿過限束裝置 測(cè)量條件如下：

用至少 2 個(gè)十分之一值層的 X 射線吸收材料將射線出線口屏蔽 。對(duì)非重疊式限束裝置，應(yīng)在最小照射野尺寸下測(cè)量；

最大泄漏輻射處用輻射探測(cè)器測(cè)量，輻射探測(cè)器的橫截面應(yīng)≤1cm2；

應(yīng)在模體中最大吸收劑量深度處測(cè)量。

漏輻射測(cè)量按如下方法進(jìn)行：

將矩形照射野對(duì)稱地設(shè)定成最大（X 方向） 乘最?。╕ 方向） ；

用輻射探測(cè)器測(cè)量 24 個(gè)點(diǎn) ，確定其平均值 ，求出相對(duì)于最大吸收劑量的百分比值；

再對(duì)稱地設(shè)定最?。╔ 方向） 乘最大（Y 方向） 照射野 ，重復(fù) A.3. 1.2 b） 的檢測(cè)；

對(duì)所有的 X 射線能量 ，重復(fù)上述測(cè)量。

如果有一個(gè)多元限束裝置 ，則打開可調(diào)節(jié)或可互換的限束裝置， 以產(chǎn)生一個(gè)面積約為 300 cm2（約 18 cm×18 cm） 的正方形照射野 。把多元限束裝置關(guān)閉到與該照射野協(xié)調(diào)一致的最小值 ，用輻射探測(cè)器測(cè)量多元限束裝置屏蔽的區(qū)域。

A.2.2. 電子線穿過限束裝置 測(cè)量條件如下：

用 10 mm 與組織等效的材料作為建成模擬構(gòu)成，對(duì)所有尺寸的電子束限束器/限束系統(tǒng)，在對(duì)應(yīng)的最大和最小能量下，基于型式試驗(yàn)中規(guī)定的電子能量所測(cè)數(shù)據(jù)的最不利組合下，在正常治療距離處做射線攝影；

在幾何照射周邊外 2cm 處的線和 M 區(qū)域邊界之間區(qū)域中定出最大吸收劑量點(diǎn)的位置；

用一橫截面不大于 1 cm2 的輻射探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量，探頭對(duì)于從輻射探測(cè)器下面的物質(zhì)散射的輻射要有足夠的防護(hù)。

按如下方法進(jìn)行測(cè)量：

在M區(qū)中，沿八條分割線（見圖 A.2） 以 2 cm 的間隔，從幾何照射野周邊外 5 cm 的點(diǎn)到 M 邊 界內(nèi)，用輻射探測(cè)器測(cè)量；

對(duì)每個(gè)電子束限束器/限束系統(tǒng)，確定輻射探測(cè)器讀數(shù)的平均值對(duì)應(yīng)參考軸上正常治療距離處最大吸收劑量的百分比值。

A.2.3. M 區(qū)域外的泄漏輻射測(cè)量（中子除外） 測(cè)量條件如下：

基于型式實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在給出最大泄漏輻射的組合條件下；

在所有的 X 射線能量和在最高的電子線能量下，確定最大泄漏輻射的點(diǎn)，在這些點(diǎn) 上用輻射探測(cè)器測(cè)量。

按如下方法進(jìn)行測(cè)量：

在圖 A.3 中給出的 41 處位置上 ，用輻射探測(cè)器測(cè)量；

用 24 個(gè)測(cè)量值的平均值確定泄漏輻射平均吸收劑量的百分比值。

表 A. 1   模體配置清單