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產品型號LC1-F400
品 牌其他品牌
廠商性質生產商
所 在 地溫州市
更新時間:2024-12-21 16:04:00瀏覽次數(shù):230次
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施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構、底座及接線柱等輔助部件。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現(xiàn)觸頭的接通和分斷的。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,使靜鐵芯產生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,電磁吸力消失,銜鐵在復開,使常開觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,接觸器處于失電狀態(tài)。
施耐德接觸器如下:
LC1-D09M5C
LC1-D12M5C
LC1-D18M5C
LC1-D25M5C
LC1-D32M5C
LC1-D40M5C
LC1-D50M5C
LC1-D80M5C
LC1-D95M5C
LC1-D115M5C
LC1-D150M5C
LC1-D170M5C
LC1-D205M5C
LC1-D245M5C
PN結的特點:具有單向導電性。
半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時,雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時,雜質原子作為晶格的一分子,其五個價電子中有四個與周圍的鍺(或硅)原子形成共價結合,多余的一個電子被束縛于雜質原子附近,產生類氫能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主,相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多(圖2)。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時,雜質原子與周圍四個鍺(或硅)原子形成共價結合時尚缺少一個電子,因而存在一個空位,與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質能級,通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質能級上填補這個空位,使雜質原子成為負離子。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時,在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導致電阻率減小,半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對摻入施主雜質的半導體,導電載流子主要是導帶中的電子,屬電子型導電,稱N型半導體(圖3)。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電,稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對,故N型半導體中可存在少量導電空穴,P型半導體中可存在少量導電電子,它們均稱為少數(shù)載流子。在半導體器件的各種效應中,少數(shù)載流子常扮演重要角色。
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