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應用領域 | 電子/電池 |
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富士可逆性交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構、底座及接線柱等輔助部件。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現觸頭的接通和分斷的。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當吸引線圈通電后,使靜鐵芯產生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當吸引線圈斷電時,電磁吸力消失,銜鐵在復開,使常開觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復位,接觸器處于失電狀態(tài)。
永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理,用永磁驅動機構取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅動機構而形成的一種微功耗接觸器。國內成熟的產品型號:CJ20J、NSFC1、NSFC2、NSFC3、NSFC4、NSFC5、NSFC12、NSFC19、CJ40J、NSFMR。
安裝在接觸器聯動機構上極性固定不變的永磁鐵,與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用,從而達到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過與其固化在一起的電子模塊產生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流,而使其產生不同的極性。根據現場需要,用控制電子模塊來控制設定的釋放電壓值,也可延遲一段時間再發(fā)出反向脈沖電流,以達到低電壓延時釋放或斷電延時釋放的目的,使其控制的電機免受電網晃電而跳停,從而保持生產系統(tǒng)的穩(wěn)定。
富士接觸器如下:
SC-E02RM-C
SC-E03RM-C
SC-E04RM-C
SC-E05RM-C
SC-E1RM-C
SC-E2RM-C
SC-E2SRM-C
SC-E3RM-C
SC-E4RM-C
SC-E5RM-C
SC-E6RM-C
SC-E7RM-C
SC-E8RM-C
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
1947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現后,人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件,來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
20世紀初的10年,通信系統(tǒng)已開始應用半導體材料。20世紀上半葉,在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機,就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統(tǒng)中得到了應用。
晶體管的發(fā)明,早可以追溯到1929年,當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種晶體管的專。但是,限于當時的技術水平,制造這種器件的材料達不到足夠的純度,而使這種晶體管無法制造出來。
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