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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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GeBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，紅外材料
材料名稱：GeBi2Te4晶體
性質分類：拓撲絕緣體，紅外材料
禁帶寬度：0.837 eV
合成方法：CVT
晶體結構：trigonal
剝離難易程度：易
用途：僅用于科研，不能用于人體
GeBi2Te4晶體，拓撲絕緣體，紅外材料
GeBi2Te4是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。
這種化合物屬于拓撲絕緣體的一種，并顯示出一些電學性質。拓撲絕緣體由于其電子結構而備受關注，其具有在表面形成能隙態(tài)的特性，對于量子計算和電子器件有著潛在的應用。
GeBi2Te4的研究可能包括對其晶體結構、電學性質和拓撲性質的探索。對這類材料的研究有助于了解其在電子學和量子技術中的潛在應用，雖然仍需要更多的實驗和深入研究來全面
了解其性質和實際應用潛力。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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