目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZGSOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列
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更新時(shí)間：2025-05-10 15:07:07瀏覽次數(shù)：1025評(píng)價(jià)
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一、SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列的定義
S0I芯片式偏振光開關(guān)或偏振控制器，該產(chǎn)品基于硅基 P-I-N高速移相結(jié)構(gòu)和氮化鈦熱移相結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)偏振控制和開關(guān)的片上集成，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列的特點(diǎn)
多通道
高度集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)
四、SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列的性能指標(biāo)
| 參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 熱調(diào)功耗 | mW | 100 | ||
| 電調(diào)功耗 | mW | 10 | ||
| 響應(yīng)速率 | Hz | >20kHz@熱調(diào)試模式，>10MHz@電調(diào)模式 | ||
| 偏振消光比 | dB | >30 dB@熱調(diào)試模式，>18dB@電調(diào)模式 | ||
| 通道數(shù) | 1,2或可定制 | |||
| 光纖接入損耗 | dB | <2@熱調(diào)模式，<3@電調(diào)模式 | ||
| 偏振相關(guān)損耗 | dB | ≤0.5 | ||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 偏振開關(guān):3.14(L)X1.0(W)X0.5(H) 偏振控制器:3.1(L)X0.6(W)x0.5(H) | ||
五、SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列的芯片尺寸
六、四川梓冠光電SOI芯片偏振控制器-開關(guān)陣列訂貨信息
| 波長 | 類型 | 通道數(shù) |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=偏振開關(guān) PS 2=偏振控制器PC XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH， 16=CH，48=48CH，XX=0ther |
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