光切換矩陣 參考價：面議
光切換矩陣采用6組雙工1X3 光開關切換，具有低插損、多模式，切換時間短、可讀取的特點
SRIO光開關切換矩陣 參考價：面議
SRIO光開關切換矩陣采用6組雙工1X3 光開關切換，具有低插損、多模式，切換時間短、可讀取的特點
TSN光開關激勵矩陣 參考價：面議
TSN光開關激勵矩陣采用44對1X2光開關切換，具有低插損、多模式，切換時間短、可讀取的特點
A818光開關切換矩陣 參考價：面議
A818光開關切換矩陣采用12個1X3光開關切換，具有低插損、多模式，切換時間短、可讀取的特點
光開關切換矩陣以太網(wǎng)口遠程控制 參考價：面議
光開關切換矩陣以太網(wǎng)口遠程控制采用12個1X3光開關切換，具有低插損、多模式，切換時間短、可讀取的特點
SOI芯片偏振控制器-開關陣列 參考價：9888
SOI芯片偏振控制器-開關陣列具有多通道、高度集成度芯片化、高速響應等特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
單片集成 10bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換 參考價：9888
單片集成 10bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延...
SOI高速光開關芯片陣列 參考價：9998
SSOI高速光開關芯片陣列，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光...
高速SOI芯片光電探測器陣列 參考價：9999
高速SOI芯片光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬...
SOI芯片可調(diào)光濾波器 陣列 參考價：9666
SOI芯片可調(diào)光濾波器 陣列基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結構，光濾波器的中心波長和隔離度可調(diào)，實現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設計實現(xiàn)了偏振無關特性，光電封裝，數(shù)...
SOI納秒光開關芯片 參考價：9998
SOI納秒光開關芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，...
硅基光延時芯片超小尺寸 參考價：9888
硅基光延時芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，...
高速SOI光電探測器芯片 參考價：9999
高速SOI光電探測器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬...
SOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列 參考價：9999
SOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達等領域
7bit 光延時器芯片 參考價：9888
7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 ...
SOI芯片式高速光衰減器 參考價：9998
SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)高速響應的可調(diào)光路衰減，實現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，數(shù)字...
高精度7bit 光延時器芯片 參考價：9888
高精度7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度...
硅基6 位光延時芯片 參考價：9888
硅基6 位光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅...
硅基6 位可調(diào)光延時芯片 參考價：9888
硅基6 位可調(diào)光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下...
SOI芯片光延時線 參考價：9888
SOI芯片光延時線 具有多通道、高集成度芯片化、高速響應等特點，主要應用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達等領域
6 比特硅基光延遲芯片 參考價：9888
6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，...
SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片 參考價：9888
SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結...
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片 參考價：9888
硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構...
單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片 參考價：9888
單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯...
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