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半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它具有體積小、壽命長的特點，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。由于這些優(yōu)點，半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面以及獲得了廣泛的應用。2.半導體激光器工作原理--特性半導體激光器是以半導體材料為工作物質(zhì)的一類激光器件。它誕生于1962年，除了具有激光器的共同特點外，還具有以下優(yōu)點：(1)體積小，重量輕;(2)驅(qū)動功率和電流較低;(3)效率高、工
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光電傳感器，通常包含很多光學元件，光束進入傳感器后經(jīng)多次會聚，使探測器表面實際入射的能量密度，可以高達照射到傳感器表面能量密度的100萬倍。這和角膜在視網(wǎng)膜上產(chǎn)生的能量密度增益屬同一量級。光電傳感器這樣設(shè)計的目的是為了提高靈敏度，以具備探測極微弱光的能力;不幸的是，這一特性使其成為極易受wu器傷害的目標。由于光電傳感器對紅外輻射，或可見光，或?qū)Χ叨继貏e靈敏，因而就更加容易成為攻擊的目標。此外，大多數(shù)傳感器在有限的波長范圍內(nèi)工作，不同的傳感器有不同的工作波長，一般來說，傳感器工作波長越長，波長范
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高壓開關(guān)柜是一種組合式電器，它可以集斷路器、負荷開關(guān)、接觸器、隔離開關(guān)、熔斷器、互感器、避雷器、電容器、母線以及相應的測量裝置、信號裝置、連鎖裝置和通信系統(tǒng)等電氣設(shè)備于一個長方柜的金屬外殼內(nèi)。高壓開關(guān)柜主要劣化因素由于各種原因，運行中的高壓開關(guān)柜會隨著時間的推移發(fā)生劣化，并且時時影響著電網(wǎng)的安全。主要劣化因素有：（1）熱劣化。由于設(shè)備運行中的溫度升高導致絕緣性能下降。（2）電劣化。絕緣材料的電場集中處會導致絕緣性能下降。（3）機械劣化。機械應力導致的零件損壞、變形、龜裂和磨損等。（4）環(huán)境劣化。
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在高頻開關(guān)電源中，應用壓電（Piezo-e1ectric）變壓器（簡稱PET）可以使開關(guān)電源實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。例如，一臺DC/DC開關(guān)電源中的PET，其DC/DC轉(zhuǎn)換器輸人為有源鉗位ZVS逆變電路，產(chǎn)生梯形波交流電，經(jīng)過PET輸出給整流濾波電路。這里應指明的是，PET不屬于磁元件的范圍。壓電變壓器是利用壓電陶瓷材料te有的電壓一振動轉(zhuǎn)換和振動一電壓轉(zhuǎn)換的性質(zhì)傳送電能的，其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路。它是功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的研究熱點之一，研究的內(nèi)容包括：壓電材料的損耗評估、PET設(shè)計計算方
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對于低電壓大電流輸出的開關(guān)電源，進一步提高其效率的措施是：在應用軟開關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)上，以功率MOS管反接作為整流用開關(guān)二極管，稱為同步整流（SynchronousRectifier，SR），用皿代替肖特基二極管（SBD）可以降低整流管壓降，從而提高開關(guān)電源的效率。有報道稱，應用軟開關(guān)和同步整流技術(shù)的小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源，48/12V模塊的效率可以達到96％、48％/5V模塊的效率可以達到92％～93％。日本在一臺100W的軟開關(guān)（ZVS）開關(guān)電源上試驗的結(jié)果是，用SBD的開關(guān)電源效率為8
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1980年以前，開關(guān)電源中PWMDC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率為20～50kHz，從1980年起，提高開關(guān)頻率成為減少開關(guān)電源尺寸的有效手段，同時也改善了開關(guān)電源的動態(tài)性能?，F(xiàn)在⒛0～500kHz已成為輸出100W以下開關(guān)電源的標準開關(guān)頻率。特殊制造的小功率開關(guān)電源，其開關(guān)頻率已經(jīng)達到了幾兆赫。如表給出了20世紀70年代以后的30年，通信和計算機用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器高功率密度的發(fā)展進程?？梢?，高頻化、高功率密度和高效率是開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展進步的重要標志。高效率和軟開關(guān)技術(shù)PWM開關(guān)電源按硬開關(guān)模
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現(xiàn)階段市場上使用的塑料加工機械的加熱方式是的電熱圈發(fā)熱，再傳導到料筒上，存在熱傳導損失，并導致環(huán)境溫度上升。只有緊靠在料筒表面內(nèi)圈的熱量傳導到料筒上，而外圈的熱量大部分散失到空氣中，造成熱量的損失。而電磁加熱技術(shù)是使金屬料筒自身發(fā)熱，而且料筒外部又包裹著隔熱保溫材料，大大減少了熱傳導損失和熱量對空氣的散失，提高了熱效率，避免了環(huán)境溫度的上升，因此節(jié)電效果十分顯著，可達30％～75％，因此電磁加熱圈本身并不發(fā)熱，而且是采用陶瓷材料和高溫電纜制造，所以不存在原電熱圈的電阻絲在高溫狀態(tài)下氧化而縮短使用
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在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕，是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學反應，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求微細化加工工藝能夠嚴格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來無法彌補的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn)，己
