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反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備
  • 反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備
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更新時間：2025-05-30 21:00:08

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( 聯(lián)系我們，請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息，謝謝?。?/p>

簡要描述：反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。image.png

因此，RIE製程是化學(xué)物理蝕刻製程，也是半導(dǎo)體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質(zhì)的薄膜。

反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 基礎(chǔ)電漿研究。

  • III-V族化合物半導(dǎo)體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。

  • Si，SiO2，SiNx 蝕刻。

  • 微機電系統(tǒng)。

  • 金屬與矽的蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。


配置和優(yōu)點選件

  • 客製化的基板尺寸，直徑可達12寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。

  • 精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

  • 渦輪分子幫浦。

  • 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。






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