目錄:深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司>>材料電學(xué)測(cè)試>>薄膜電阻測(cè)試儀>> R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)
| 參考價(jià) | 面議 |
| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2025-04-18 07:56:20瀏覽次數(shù)：806評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都至關(guān)重要，從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測(cè)均進(jìn)行了優(yōu)化加強(qiáng)。
1.薄膜電阻測(cè)試儀四點(diǎn)探針?lè)ǎ?PP）
四個(gè)導(dǎo)電探針以可控力接觸導(dǎo)電層表面，被測(cè)導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電層擋層。標(biāo)準(zhǔn)4探針是在兩個(gè)外部探針之間施加電流并在兩個(gè)內(nèi)部探針之間測(cè)量電壓。測(cè)量電阻時(shí)，導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個(gè)探針之間距離的1/2。
R50薄膜電阻測(cè)試儀(四探針、電渦流)開創(chuàng)了雙模技術(shù)，該技術(shù)允許測(cè)量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。
2.電渦流法（EC）
線圈施加時(shí)變電流以產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)靠近導(dǎo)電表面時(shí)，該表面產(chǎn)生感應(yīng)時(shí)變電流（渦流）。這些電渦流也會(huì)產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號(hào)變化。
單個(gè)探頭位于樣品頂部，可以動(dòng)態(tài)的調(diào)整每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的探頭高度，這對(duì)測(cè)量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性至關(guān)重要。該方法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于接觸法測(cè)量的樣品。
| 型號(hào) | R50-4PP | R50-EC | 通用 | R50系列 |
| 系統(tǒng)模式 | 接觸式四探針系統(tǒng) | 非接觸式渦流系統(tǒng) | Z 范圍 | 100mm |
| 測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性 | < 0.2% | < 0.2% | Z 平臺(tái)類型 | 100mm |
| 準(zhǔn)確性 | ± 1% | ± 1% | X-Y平臺(tái)類型 | 自動(dòng) |
| 測(cè)量范圍 | 1mΩ/sq – 200MΩ/sq | 1mΩ/sq – 10Ω/sq | 樣品臺(tái)承重 | 2.5kg |
| 相關(guān)性 | < 1% | < 1% | 傾斜樣品臺(tái) | ± 5°,手動(dòng) |
| 機(jī)械性能 | R50-4PP/EC | R50-200-4PP/EC |
| X-Y平臺(tái)范圍 | 100mm x 100mm | 200mm x 200mm |
| 樣品寬度上限 | 265mm | 365mm |
| 系統(tǒng)尺寸 | 305mm x 305mm x 550mm | 406mm x 406mm x 550mm |
| 系統(tǒng)重量 | 15kg | 22kg |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
3
化工儀器網(wǎng)